公开(公告)号：CN114854412B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210398145.6

申请日：2022-04-13

Applicant: 厦门稀土材料研究所

Inventor： 张云 ,  蓝文宁 ,  史俊朋 ,  柳林

IPC: C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法，该材料的化学结构式为：Ln2Si2O7:xBi3+，其中Ln为Sc，Gd，Y，Lu中的至少一种，1≤x≤6，其制备方法包含以下步骤：S1：按照化学式Ln2Si2O7:xBi3+中的化学计量比，分别称取含Ln化合物，含Si化合物，含Bi化合物，将化合物混合后研磨均匀，得到混合物；S2：将步骤S1中得到的混合物加热煅烧，然后冷却，得到近紫外激发的窄带深蓝发光材料。本发明通过阳离子取代，将Ln2Si2O7:xBi3+(Ln＝Sc，Gd，Y，Lu)的荧光从450nm调整到403‑422nm，最强的吸收峰位于n‑UV区(370‑380nm),其中，Sc2Si2O7:Bi3+在372nm n‑UV激发下产生403nm深蓝色发光，FWHM为41nm，量子产率为41.2％，具备良好的热稳定性，其在全光谱照明领域应用潜力巨大。

公开(公告)号：CN114854412A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210398145.6

申请日：2022-04-13

Applicant: 厦门稀土材料研究所

Inventor： 张云 ,  蓝文宁 ,  史俊朋 ,  柳林

IPC: C09K11/79

Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法，该材料的化学结构式为：Ln2Si2O7:xBi3+，其中Ln为Sc，Gd，Y，Lu中的至少一种，1≤x≤6，其制备方法包含以下步骤：S1：按照化学式Ln2Si2O7:xBi3+中的化学计量比，分别称取含Ln化合物，含Si化合物，含Bi化合物，将化合物混合后研磨均匀，得到混合物；S2：将步骤S1中得到的混合物加热煅烧，然后冷却，得到近紫外激发的窄带深蓝发光材料。本发明通过阳离子取代，将Ln2Si2O7:xBi3+(Ln＝Sc，Gd，Y，Lu)的荧光从450nm调整到403‑422nm，最强的吸收峰位于n‑UV区(370‑380nm),其中，Sc2Si2O7:Bi3+在372nm n‑UV激发下产生403nm深蓝色发光，FWHM为41nm，量子产率为41.2％，具备良好的热稳定性，其在全光谱照明领域应用潜力巨大。