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公开(公告)号：CN115287067A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210966834.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种紫外和近红外双发射的长余辉发光材料及其制备方法，其中长余辉发光材料的结构通式为LiMGeO4:xBi3+,yPr3+，其中，LiMGeO4为基质，M为Y或者Lu，Bi3+为紫外发光中心离子，0.0005≤x≤0.01，Pr3+为近红外发光中心离子，0.0001≤y≤0.04。本发明的长余辉材料可发射出300‑400nm波段的紫外长余辉和680‑800nm波段的近红外长余辉，其中紫外发射峰位于350nm附近，近红外发射峰位于735nm附近，并且都具备一定的余辉发光时间。本发明的材料两个明显的长余辉发射波长分别位于紫外波段和近红外波段，用紫外长余辉进行治疗，用近红外长余辉实现成像，使长余辉材料具有同时实现治疗与成像的诊疗一体化功能的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN115287067B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210966834.2
申请日：2022-08-11
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C09K11/78
Abstract: 本发明公开了一种紫外和近红外双发射的长余辉发光材料及其制备方法，其中长余辉发光材料的结构通式为LiMGeO4:xBi3+,yPr3+，其中，LiMGeO4为基质，M为Y或者Lu，Bi3+为紫外发光中心离子，0.0005≤x≤0.01，Pr3+为近红外发光中心离子，0.0001≤y≤0.04。本发明的长余辉材料可发射出300‑400nm波段的紫外长余辉和680‑800nm波段的近红外长余辉，其中紫外发射峰位于350nm附近，近红外发射峰位于735nm附近，并且都具备一定的余辉发光时间。本发明的材料两个明显的长余辉发射波长分别位于紫外波段和近红外波段，用紫外长余辉进行治疗，用近红外长余辉实现成像，使长余辉材料具有同时实现治疗与成像的诊疗一体化功能的潜在应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113856669A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111286458.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 厦门稀土材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种负载二氧化钛的复合光催化剂及其制备方法，该复合光催化剂的其成分为均匀包覆TiO2的LiLuGeO4‑x％Bi，x取值范围为0.1～4。本发明在丙酮浴条件下使钛酸四钉酯在乙醇发生水解反应制备TiO2包覆的LiLuGeO4‑x％Bi，采用原位生长技术将TiO2包覆在Bi掺杂的LiLuGeO4表面，使材料同时具备了长余辉材料在紫外光激发下可实现能量存储和TiO2分散性好、比表面积大的优点，制得的TiO2与Bi掺杂LiLuGeO4结合紧密，不易发生脱落。该复合光催化可在无法外源光源时实现光催化、光电转换和生物材料方面的催化，应用前景十分广泛。
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公开(公告)号：CN114854412B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210398145.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法，该材料的化学结构式为：Ln2Si2O7:xBi3+，其中Ln为Sc，Gd，Y，Lu中的至少一种，1≤x≤6，其制备方法包含以下步骤：S1：按照化学式Ln2Si2O7:xBi3+中的化学计量比，分别称取含Ln化合物，含Si化合物，含Bi化合物，将化合物混合后研磨均匀，得到混合物；S2：将步骤S1中得到的混合物加热煅烧，然后冷却，得到近紫外激发的窄带深蓝发光材料。本发明通过阳离子取代，将Ln2Si2O7:xBi3+(Ln＝Sc，Gd，Y，Lu)的荧光从450nm调整到403‑422nm，最强的吸收峰位于n‑UV区(370‑380nm),其中，Sc2Si2O7:Bi3+在372nm n‑UV激发下产生403nm深蓝色发光，FWHM为41nm，量子产率为41.2％，具备良好的热稳定性，其在全光谱照明领域应用潜力巨大。
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公开(公告)号：CN113980680A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111412106.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 厦门稀土材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂的紫外长余辉发光材料、制备方法及其应用。该材料的化学表达式为Mg4Y2‑xLuxGe3O13:aBi3+:bM，其中，Bi3+为发光中心离子，M为Li+，Sm3+,Yb3+，Gd3+中的至少一种，其中，0≤x≤2，0.25％≤a≤2％，0％≤b≤15％。该材料采用高温固相法制备，煅烧温度为1300℃，煅烧时间5小时。本发明通过元素种类及元素含量，实现了从340nm到330nm的余辉发光峰的调节；本发明合成的长余辉材料能够被紫外灯激发，并且通过共掺杂不同的离子和调节掺杂离子的浓度，极大增强了其330nm左右余辉性能,紫外余辉发光时长可持续8小时以上。该材料还可以结合光催化剂TiO2合成一种新型的光催化剂，表现出持久的光催化性能。
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公开(公告)号：CN113980680B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111412106.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 厦门稀土材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种离子掺杂的紫外长余辉发光材料、制备方法及其应用。该材料的化学表达式为Mg4Y2‑xLuxGe3O13:aBi3+:bM，其中，Bi3+为发光中心离子，M为Li+，Sm3+,Yb3+，Gd3+中的至少一种，其中，0≤x≤2，0.25％≤a≤2％，0％≤b≤15％。该材料采用高温固相法制备，煅烧温度为1300℃，煅烧时间5小时。本发明通过元素种类及元素含量，实现了从340nm到330nm的余辉发光峰的调节；本发明合成的长余辉材料能够被紫外灯激发，并且通过共掺杂不同的离子和调节掺杂离子的浓度，极大增强了其330nm左右余辉性能,紫外余辉发光时长可持续8小时以上。该材料还可以结合光催化剂TiO2合成一种新型的光催化剂，表现出持久的光催化性能。
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公开(公告)号：CN114854412A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210398145.6
申请日：2022-04-13
Applicant: 厦门稀土材料研究所
IPC: C09K11/79
Abstract: 本发明公开了一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法，该材料的化学结构式为：Ln2Si2O7:xBi3+，其中Ln为Sc，Gd，Y，Lu中的至少一种，1≤x≤6，其制备方法包含以下步骤：S1：按照化学式Ln2Si2O7:xBi3+中的化学计量比，分别称取含Ln化合物，含Si化合物，含Bi化合物，将化合物混合后研磨均匀，得到混合物；S2：将步骤S1中得到的混合物加热煅烧，然后冷却，得到近紫外激发的窄带深蓝发光材料。本发明通过阳离子取代，将Ln2Si2O7:xBi3+(Ln＝Sc，Gd，Y，Lu)的荧光从450nm调整到403‑422nm，最强的吸收峰位于n‑UV区(370‑380nm),其中，Sc2Si2O7:Bi3+在372nm n‑UV激发下产生403nm深蓝色发光，FWHM为41nm，量子产率为41.2％，具备良好的热稳定性，其在全光谱照明领域应用潜力巨大。
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