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公开(公告)号：CN119480632A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411663013.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/285 , H10D30/01
Abstract: 一种锗基源漏材料的制备方法及其应用，涉及锗基源漏材料领域，在锗基衬底上通过锗和铝的共沉积生长锗铝薄膜，当衬底温度为215~383℃时，X射线衍射（XRD）测试锗铝薄膜为单晶结构，晶体质量良好且表面无铝的偏析。霍尔测试锗铝薄膜自带p型掺杂，激活的空穴浓度高达8×1020#imgabs0#。根据飞行时间‑二次离子质谱仪（TOF‑SIMS）的表征结果，铝原子在未掺杂锗基衬底的扩散长度小于4nm/decade，可以应用于锗基逻辑电路先进节点工艺的p型原位掺杂和p+/n浅结的制备。
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