公开(公告)号：CN101188256A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710009957.2

申请日：2007-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张保平 ,  毛明华

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0304

Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n－GaN层、i－InAlGaN光敏层、p－InAlN层和p－GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p－GaN顶层上设有p电极，在n－GaN层上设有n电极。

公开(公告)号：CN100544038C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710009957.2

申请日：2007-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘宝林 ,  张保平 ,  毛明华

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0304

Abstract: 无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器，涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种将光信号转换为电信号的铟铝镓氮/氮化镓(InAlGaN/GaN)PIN光电探测器。提供一种无应变InAlGaN/GaN PIN光电探测器。设有蓝宝石(Al2O3)衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层，从下至上GaN缓冲层、n-GaN层、i-InAlGaN光敏层、p-InAlN层和p-GaN顶层依次设在蓝宝石(Al2O3)衬底上，在p-GaN顶层上设有p电极，在n-GaN层上设有n电极。