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公开(公告)号:CN106868580A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201710118094.6
申请日:2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法,涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形,在硅片背面溅射铜电极;将硅片置于电化学腐蚀槽中;配制电解液;分别把硅片的背电极接电源阳极,电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离;将得到的硅片冲洗,烘干,即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料,所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
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公开(公告)号:CN106868580B
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201710118094.6
申请日:2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法,涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形,在硅片背面溅射铜电极;将硅片置于电化学腐蚀槽中;配制电解液;分别把硅片的背电极接电源阳极,电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离;将得到的硅片冲洗,烘干,即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料,所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。
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公开(公告)号:CN106847681B
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201710118093.1
申请日:2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法,涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料,清洗;先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片,先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片,先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统,待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa,向溅射室充入Ar气体;通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜;利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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公开(公告)号:CN106847681A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710118093.1
申请日:2017-03-01
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/20 , C23C14/165 , C23C14/35 , H01L24/03
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法,涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料,清洗;先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片,先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片,先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸,再用HF和H2O2的混合溶液浸泡;经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统,待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa,向溅射室充入Ar气体;通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜;利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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