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公开(公告)号：CN117361628A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311350289.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明提供了一种多层二硫化钼薄膜的制备方法，属于薄膜材料制备技术领域。本发明将四硫代钼酸铵溶液涂覆于第一衬底的单面，去除混合有机溶剂后形成固态薄膜，将所得第一衬底‑固态薄膜工件进行预退火处理以使所述固态薄膜转化为前驱体薄膜，在所得第一衬底‑前驱体薄膜工件中前驱体薄膜的表面叠层放置第二衬底，依次进行键合处理与退火处理，在所述第一衬底与第二衬底之间得到所述多层二硫化钼薄膜。本发明利用键合技术可以减少退火处理过程中薄膜质量损伤，能够在缩短处理时间的基础上得到高质量多层二硫化钼薄膜。
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