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公开(公告)号:CN109494972B
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201811317196.1
申请日:2018-11-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02M1/38
Abstract: 本发明揭示了一种基于增强型氮化镓器件的死区时间设置方法,其特征在于,S1、选用待设置死区时间的半桥电路,搭建双脉冲测试平台;S2、在半桥电路内设置较大死区时间;S3、在最高电压、最大负载的条件下采用双脉冲信号驱动双脉冲测试平台,测量开通过程和关断过程中的栅源极电压VGS;S4、根据所测量的开通过程和关断过程中的栅源极电压VGS得到开通延迟时间和关断延迟时间,随后依据开通延迟时间和关断延迟时间计算得到死区时间。本发明简化了现有的技术方案,仅需要测量栅源极电压就能得到死区时间计算的参数,实施过程更为简便,避免了测量误差。
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公开(公告)号:CN109494972A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201811317196.1
申请日:2018-11-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H02M1/38
CPC classification number: H02M1/38
Abstract: 本发明揭示了一种基于增强型氮化镓器件的死区时间设置方法,其特征在于,S1、选用待设置死区时间的半桥电路,搭建双脉冲测试平台;S2、在半桥电路内设置较大死区时间;S3、在最高电压、最大负载的条件下采用双脉冲信号驱动双脉冲测试平台,测量开通过程和关断过程中的栅源极电压VGS;S4、根据所测量的开通过程和关断过程中的栅源极电压VGS得到开通延迟时间和关断延迟时间,随后依据开通延迟时间和关断延迟时间计算得到死区时间。本发明简化了现有的技术方案,仅需要测量栅源极电压就能得到死区时间计算的参数,实施过程更为简便,避免了测量误差。
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