公开(公告)号：CN115734620A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211547521.X

申请日：2022-12-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄稳 ,  杭鹏杰 ,  余学功 ,  皮孝东 ,  李兴鳌 ,  杨德仁

IPC: H10K30/10 ,  H10K85/00 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开了基于氧化锡/钙钛矿异质结的两端型光电神经突触器件，属于神经形态计算领域。该器件从下往上是:底电极、电子传输层、光电响应层、空穴传输层和顶电极；光电响应层为钙钛矿薄膜，电子传输层为氧化锡薄膜，该器件在无需外加偏压的情况下能模拟神经突触功能。在该结构中，钙钛矿膜致密，吸光性能好，在光的刺激下能产生大量的载流子，而氧化锡膜用于传输电子，在氧化锡膜中，也易于形成氧空位，能有效捕获电子。因此该结构既能保证光生载流子的大量产生，又能对产生的载流子进行有效捕获，确保器件突触权重的累积效应以及记忆性能，使突触权重动态范围达到了14.3，整流比为～300，为目前在这些性能指标上最优异的两端型光电神经突触器件。