公开(公告)号：CN107579152A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710666002.8

申请日：2017-08-04

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 毛巍威 ,  李兴鳌 ,  王兴福 ,  楚亮 ,  张健 ,  薛洪涛 ,  束华中

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)的多态存储器件及制备方法。所述存储器件由衬底、底电极、多态存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，多态存储层采用10％镍掺杂的铁酸铋BiFe0.9Ni0.1O3和聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TRrE)的复合薄膜。具体制备方法为，采用水热法制备均匀的BiFe0.9Ni0.1O3纳米颗粒，然后与P(VDF-TRrE)溶液混合；再选用FTO导电玻璃为衬底，FTO为底电极，采用刮涂法制备BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)复合薄膜；最后，用真空蒸镀顶电极。这样得到基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)复合薄膜的多态存储器件，该存储器件可以表现出两个磁化态和两个极化态，分别代表四种信息记录状态。