公开(公告)号：CN108535794A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810225948.5

申请日：2018-03-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈将伟 ,  姜飞 ,  马小千 ,  张伟华

IPC: G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于电磁超表面和有源介质的光存储器。该光存储器以折射率n1较高的透明平板为基质，结合光在电磁超表面(B和F位置)的负反射来构建闭合光路A-B-C-D-E-F-A；再利用光在方形低折射率n2(＜n1)有源介质表面(D位置)全反射增强来补偿光损耗；最后，采用折射率n3可变的薄膜和折射率固定的三棱镜(A位置)来选择光损耗完全补偿的闭合光路，并实现光的输入、存储和输出。本发明能够完全补偿光损耗，实现光的长时间存储。

公开(公告)号：CN108535794B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201810225948.5

申请日：2018-03-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈将伟 ,  姜飞 ,  马小千 ,  张伟华

IPC: G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于电磁超表面和有源介质的光存储器。该光存储器以折射率n1较高的透明平板为基质，结合光在电磁超表面(B和F位置)的负反射来构建闭合光路A‑B‑C‑D‑E‑F‑A；再利用光在方形低折射率n2(＜n1)有源介质表面(D位置)全反射增强来补偿光损耗；最后，采用折射率n3可变的薄膜和折射率固定的三棱镜(A位置)来选择光损耗完全补偿的闭合光路，并实现光的输入、存储和输出。本发明能够完全补偿光损耗，实现光的长时间存储。