一种区块链矿池挖矿策略的博弈优化方法

    公开(公告)号:CN113055467A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110264415.X

    申请日:2021-03-11

    Abstract: 本发明公开一种区块链矿池挖矿策略的博弈优化方法。属于区块链中的矿池领域,包括:1、根据矿池的奖励分配机制建立矿池管理员和矿工的效用函数;2、利用斯塔克尔伯格博弈对矿池管理员和矿工之间的关系进行建模;3、计算斯塔克尔伯格博弈的纳什均衡;4、采用组合方案,将不参与挖矿的矿工进行组合;使得组合后矿工们的成本降低,给矿工投入算力提供机会;通过建立组合的效用函数,对所有的矿工进行下一轮斯塔克尔伯格博弈,组合其在下一轮博弈中获得正效用。本发明的挖矿策略能够稳定地获得区块奖励,获得矿池管理员和矿工双方在按算力比例分配矿池中的最佳策略;另外通过降低挖矿成本,使矿池中更多的矿工投入算力,提升了矿池的挖矿性能。

    一种TADF型多色OLED器件的制备方法

    公开(公告)号:CN110611055A

    公开(公告)日:2019-12-24

    申请号:CN201910868424.2

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 本发明揭示了一种TADF型多色OLED器件的制备方法,该方法包括以下步骤:S1:配制发光层溶液;分别称取一定量的4CzIPN和DMAC-DPS样品,用氯仿作为溶剂,分别配成4 mg/mL的溶液;用微量移液器分别量取两种溶液并进行混合,将该混合溶液再搅拌一定时间,使该混合溶液混合均匀,得到不同体积比的混合溶液;S2:ITO玻璃的清洗处理;S3:旋涂发光层;S4:将ITO基片转移到真空腔室,蒸镀一层TPBI作为电子传输层,随后在蒸镀Ca,最后蒸镀Ag做电极。该方法具有高的光量子产率,且不使用主体材料,节省成本,所采用的有机溶剂为常见的低毒溶剂,减少了对环境的污染和危害,制备过程绿色环保。

    一种D-A型TADF材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110511177A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910874617.9

    申请日:2019-09-16

    Abstract: 本发明揭示了一种D-A型TADF材料及其制备方法和应用,D-A型TADF材料结构通式如下:其中,A表示受体单元,D表示供体单元,通过改变供体单元在受体单元二苯砜上的链接位置,分别有三个位置(m1,m2,m2’)和四个位置(m1,m2,m1’,m2’)的两种链接方式,可得到两种D-A型TADF材料。该两种材料兼具有较高的荧光量子效率,良好的成膜性和形貌稳定性;其良好的载流子传输能力,有利于载流子的注入和传输;同时具有合适的HOMO、LUMO能级,使器件能级更加匹配。该材料在OLED中有良好的应用前景,该材料合成方法简单、可操作性强、合成成本低。

    一种白光OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104377315B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410623390.8

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种白光OLED器件及其制备方法。一种白光OLED器件,由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层,金属阴极层;ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极,PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层,TPBI为器件的电子传输层,钙和银构成金属阴极层,其特征在于发光层由主体材料DTCPFB和OXD‑7,客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)构成;其制备方法主要是在溶液法的基础上进行了改进。本发明有效实现了发光层分组分的均匀掺杂,保证了发光光谱的稳定性。而且从能级匹配、载流子传输平衡以及所选用材料自身所具有的优良性能等方面考虑采用了本体系独有的器件结构类型,使器件达到了与常用白炽灯相当的高效率。

    一种暖白光OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104409645B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201410625270.1

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种暖白色OLED器件及其制备方法,其器件的结构特征在于发光层由主体材料DTCPFB和OXD‑7,客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(MPCPPZ)3构成;其制备方法是通过合称上述主客体材料而综合运用的溶液加工法,采用四基色掺杂的方式制备了高CRI暖白光器件,完全能够满足理想照明光源CRI需达到80以上的要求。并从能级匹配和载流子传输平衡方面考虑采用了本体系独有的器件结构类型,有效地提高了器件的光谱稳定性。

    “药丸状”薄膜对苦味酸的检测方法

    公开(公告)号:CN106525779A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510586796.8

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 本发明公开了“药丸状”荧光薄膜对苦味酸的检测方法,其步骤如下:步骤一:配制P(VDF-HFP)溶液和TPE-2pTPA的氯仿溶液,然后将两者混合配制TPE-2pTPA/P(VDF-HFP)溶液;步骤二:将TPE-2pTPA/P(VDF-HFP)溶液在冰箱中的低温环境下放置七天;步骤三:将处理后的TPE-2pTPA/P(VDF-HFP)溶液进行旋涂,制备具有“药丸状”的TPE-2pTPA/P(VDF-HFP)旋涂薄膜;步骤四:向“药丸状”的TPE-2pTPA/P(VDF-HFP)旋涂薄膜中逐渐滴加不同浓度PA溶液进行检测。本发明操作简便、成本低廉、灵敏度高、响应速度快、易于器件化,还具有安全无毒、对环境无污染以及经济适用等独特优点。

    一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法

    公开(公告)号:CN105576125A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610079963.4

    申请日:2016-02-04

    CPC classification number: H01L51/0508 G01N27/414 H01L51/005 H01L51/102

    Abstract: 本发明属于有机场效应晶体管技术领域。本发明提供了一种用于离子检测的有机场效应晶体管及其检测方法,所述晶体管从下至上依次为n型掺杂硅栅极电极、二氧化硅介电层、十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰层、活性半导体材料层和金源漏电极,其特征在于,n型掺杂硅栅极电极的边缘设置了栅极测试槽口和离子溶液槽口,所述活性半导体材料层选用TII(BFu)2。本发明所述晶体管对于不同离子呈现清晰的间隔排布,同时还对10-6M到10-2M的钠离子浓度有梯度变化的电流响应,适用于离子的检测。本发明方法测试结构简单便捷,摆脱了传统测试结构能耗较大的问题,测试过程中稳定性高,离子检测过程中选择性响应明显,并且耗材成本低廉,适用于大规模批量化生产及测试。

    一种四基色白光OLED及其制备方法

    公开(公告)号:CN104377316A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410626210.1

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种四基色白光OLED器件及其制备方法,由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层,金属阴极层;ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极,PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层,TPBI为器件的电子传输层,钙和银构成金属阴极层,其特征在于发光层由主体材料DTPAFB和OXD-7,客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(MPCPPZ)3构成。本发明所采用的三苯胺系衍生物大取代基团为骨架的可溶液加工型小分子主体材料DTPAFB具有制备简便,容易提纯,热稳定性、化学稳定性、成膜性能优良和三线态能级高达2.79eV等诸多优势,且高度扭曲的空间构形可以更有效地防止客体材料在发光层中的聚集,从而能够保证器件具有相对稳定的发光性能。

    一种白光OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104377315A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410623390.8

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种白光OLED器件及其制备方法。一种白光OLED器件,由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层,金属阴极层;ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极,PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层,TPBI为器件的电子传输层,钙和银构成金属阴极层,其特征在于发光层由主体材料DTCPFB和OXD-7,客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)构成;其制备方法主要是在溶液法的基础上进行了改进。本发明有效实现了发光层分组分的均匀掺杂,保证了发光光谱的稳定性。而且从能级匹配、载流子传输平衡以及所选用材料自身所具有的优良性能等方面考虑采用了本体系独有的器件结构类型,使器件达到了与常用白炽灯相当的高效率。

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