基于表面等离子体波传输距离的电磁波温度调制方法

    公开(公告)号:CN102736273A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210216216.2

    申请日:2012-06-28

    Abstract: 本发明公开了基于表面等离子体波传输距离的电磁波温度调制方法。在本征半导体平板表面上方设置两个相互平行的金属刀片:第一刀片和第二刀片;从第一刀片的外侧向该刀片的刃口与本征半导体平板的间隙处发射频率小于本征半导体等离子体频率的电磁波,在本征半导体平板表面激发沿着本征半导体平板表面传输的表面等离子体波;保持第一刀片与第二刀片之间的距离不变,通过调整本征半导体平板的温度,使得所述表面等离子体波在本征半导体平板表面的传输距离发生变化,第二刀片刃口处耦合出的电磁波的强度随之发生变化,从而实现电磁波的调制。本发明具有温度范围小、调制速度快、硬件结构简单、易于实现等优点,可实现宽频电磁波的归零及非归零调制。

    一种叠层石墨烯导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101702345B

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN200910232491.1

    申请日:2009-11-27

    Abstract: 叠层石墨烯导电薄膜的制备方法属纳米光电材料科技领域,本发明具体涉及一种60-200度温度下润湿还原氧化石墨烯薄膜与其多次叠加成膜的制备技术。本发明提供的多层叠加还原氧化石墨烯薄膜具有:(1)原材料利用率高;(2)还原温度温和;(3)电导率高;(4)方块电阻低且可控;(5)价格便宜等优点。在有机电致发光显示、有机电存储、人工肌肉等有机光电功能器件中有着广泛应用,有望替代ITO以及导电聚合物薄膜,将成为一种新型导电薄膜,应用于柔性器件。

    基于表面等离子体波传输距离的电磁波调制方法

    公开(公告)号:CN102739165B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210216220.9

    申请日:2012-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体波传输距离的电磁波调制方法。在半导体平板表面上方设置两个相互平行的金属刀片:第一刀片和第二刀片,两个金属刀片的刃口均垂直指向半导体平板表面,且两个金属刀片刃口与半导体板表面的距离相等;从第一刀片的外侧向该刀片的刃口与半导体平板的间隙处发射频率小于半导体等离子体频率的电磁波,在半导体平板表面激发表面等离子体波,该表面等离子体波由第一刀片的刃口下方沿着半导体平板表面向第二刀片的刃口下方传输;在恒定温度下,通过调整两个金属刀片间的距离,使得从第二刀片刃口处耦合出的电磁波的强度发生变化。本发明方法能量消耗小,调谐频带宽,硬件成本低,操作简单、灵活,可实现归零和非归零调制功能。

    基于表面等离子体波传输距离的电磁波调制方法

    公开(公告)号:CN102739165A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210216220.9

    申请日:2012-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体波传输距离的电磁波调制方法。在半导体平板表面上方设置两个相互平行的金属刀片:第一刀片和第二刀片,两个金属刀片的刃口均垂直指向半导体平板表面,且两个金属刀片刃口与半导体板表面的距离相等;从第一刀片的外侧向该刀片的刃口与半导体平板的间隙处发射频率小于半导体等离子体频率的电磁波,在半导体平板表面激发表面等离子体波,该表面等离子体波由第一刀片的刃口下方沿着半导体平板表面向第二刀片的刃口下方传输;在恒定温度下,通过调整两个金属刀片间的距离,使得从第二刀片刃口处耦合出的电磁波的强度发生变化。本发明方法能量消耗小,调谐频带宽,硬件成本低,操作简单、灵活,可实现归零和非归零调制功能。

    一种叠层石墨烯导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101702345A

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200910232491.1

    申请日:2009-11-27

    Abstract: 叠层石墨烯导电薄膜的制备方法属纳米光电材料科技领域,本发明具体涉及一种60-200摄氏度温度下润湿还原氧化石墨烯薄膜与其多次叠加成膜的制备技术。本发明提供的多层叠加还原氧化石墨烯薄膜具有:(1)原材料利用率高;(2)还原温度温和;(3)电导率高;(4)方块电阻低且可控;(5)价格便宜等优点。在有机电致发光显示、有机电存储、人工肌肉等有机光电功能器件中有着广泛应用,有望替代ITO以及导电聚合物薄膜,将成为一种新型导电薄膜,应用于柔性器件。

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