一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器

    公开(公告)号:CN116626920B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310899405.2

    申请日:2023-07-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及偏振调制器技术领域,具体涉及一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器。底部集成有发光二极管外延片,偏振调制器由超表面结构组成,超表面结构由单元晶胞周期性排列而成,单元晶胞包括第一金属微纳结构层、第二金属微纳结构层和电介质隔离层,每个单元晶胞的第一金属微纳结构层均包括沿单元晶胞长度方向排列的一段或多段第一矩形金属块,第二金属微纳结构层均包括沿特定方向排列的多段第二矩形金属块,第一矩形金属块与沿特定方向排列的第二矩形金属块之间具有相对夹角。其具有较好的透过率和消光比,且具有更高的偏振转换度和较低的能量损耗。

    一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器

    公开(公告)号:CN116626920A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310899405.2

    申请日:2023-07-21

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及偏振调制器技术领域,具体涉及一种与发光二极管集成的超表面偏振调制器。底部集成有发光二极管外延片,偏振调制器由超表面结构组成,超表面结构由单元晶胞周期性排列而成,单元晶胞包括第一金属微纳结构层、第二金属微纳结构层和电介质隔离层,每个单元晶胞的第一金属微纳结构层均包括沿单元晶胞长度方向排列的一段或多段第一矩形金属块,第二金属微纳结构层均包括沿特定方向排列的多段第二矩形金属块,第一矩形金属块与沿特定方向排列的第二矩形金属块之间具有相对夹角。其具有较好的透过率和消光比,且具有更高的偏振转换度和较低的能量损耗。

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