公开(公告)号：CN119358572B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411938899.1

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 刘王予 ,  李春彪 ,  吴俊尧 ,  魏禹翔 ,  沈梦慧

IPC: G06G7/16

Abstract: 本发明提供了一种基于双向对称特性的可切换浮地忆阻仿真器，包括三个乘法器U1、U2和U3，节点z、电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5，第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4，第一电压V1、第二电压V2，以及两个电流反馈型运算放大器U4和U5。本发明扎根于忆阻器理论，推导出具有双向导通特性的浮地忆阻器所需要满足的理论约束，并给出了符合该结构的一种浮地忆阻电路，使得忆阻仿真器具备无向性，磁滞回线不受连接方向的影响，此外加入了几个开关使得该电路实现接地忆阻和浮地忆阻之间的自由切换，增加了该电路的多样性。

公开(公告)号：CN119358572A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411938899.1

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 刘王予 ,  李春彪 ,  吴俊尧 ,  魏禹翔 ,  沈梦慧

IPC: G06G7/16

Abstract: 本发明提供了一种基于双向对称特性的可切换浮地忆阻仿真器，包括三个乘法器U1、U2和U3，节点z、电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5，第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4，第一电压V1、第二电压V2，以及两个电流反馈型运算放大器U4和U5。本发明扎根于忆阻器理论，推导出具有双向导通特性的浮地忆阻器所需要满足的理论约束，并给出了符合该结构的一种浮地忆阻电路，使得忆阻仿真器具备无向性，磁滞回线不受连接方向的影响，此外加入了几个开关使得该电路实现接地忆阻和浮地忆阻之间的自由切换，增加了该电路的多样性。