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公开(公告)号：CN119581296B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510134338.4
申请日：2025-02-07
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种微针尖环形阵列阴极电子枪及其阴极的制备方法，属于真空电子器件技术领域，其中，电子枪包括阴极、栅极、双聚焦电极、阳极；具体而言，阴极为环形阵列结构，由圆锥沿对称轴一分为二，切面为底面，尖端朝内，在阴极凹槽内均匀分布，呈凹面形状，具有预聚焦效果；阴极的微针尖设计，显著增大场增强因子，进而提高尖端的电场强度、提升发射电流密度且降低开启电压；栅极为菱形栅孔栅网，菱形边长与阴极凹槽半径一致，通过调节菱形锐角优化电场分布，显著提高场发射效率；第一聚焦电极为双曲聚焦电极，其内壁形状为双曲线，通过引导电场线沿中心轴线向阳极弯曲，增强聚焦效果；本设计的电子枪兼具高场发射性能与高束流压缩比。
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公开(公告)号：CN119008360A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411096031.1
申请日：2024-08-12
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法，所述X射线管包括阴极、栅极及阳极；本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料，依据场致发射原理，使其无需加热，响应时间能达到微秒级；并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力，克服场屏蔽效应，有效提升发射电流，提高成像质量；由于碳纳米管具有更高长径比，导电性更好，有效提升发射电流密度；所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料，具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点，并且结构简单易于加工，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119581296A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510134338.4
申请日：2025-02-07
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种微针尖环形阵列阴极电子枪及其阴极的制备方法，属于真空电子器件技术领域，其中，电子枪包括阴极、栅极、双聚焦电极、阳极；具体而言，阴极为环形阵列结构，由圆锥沿对称轴一分为二，切面为底面，尖端朝内，在阴极凹槽内均匀分布，呈凹面形状，具有预聚焦效果；阴极的微针尖设计，显著增大场增强因子，进而提高尖端的电场强度、提升发射电流密度且降低开启电压；栅极为菱形栅孔栅网，菱形边长与阴极凹槽半径一致，通过调节菱形锐角优化电场分布，显著提高场发射效率；第一聚焦电极为双曲聚焦电极，其内壁形状为双曲线，通过引导电场线沿中心轴线向阳极弯曲，增强聚焦效果；本设计的电子枪兼具高场发射性能与高束流压缩比。
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公开(公告)号：CN117238738B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311502089.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道；依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极；本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小，真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程，使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式，具有高响应速度、高截止频率；沟道向内凹，降低电子与介质层的碰撞，提高器件稳定性。
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公开(公告)号：CN117238738A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311502089.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带材料的垂直结构真空沟道晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极和若干个沟道；依次从下至上设置包括衬底、第一电极、第一介质层、第二电极、栅阻挡介质、第二介质层、第三电极；本发明可以使晶体管在尺寸上压缩的更小，真空纳米沟道的尺度小于电子在空气中的平均自由程，使得载流子在沟道内部的输运满足场致电子发射或隧穿的形式，具有高响应速度、高截止频率；沟道向内凹，降低电子与介质层的碰撞，提高器件稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117059458A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311002981.9
申请日：2023-08-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法，包括自下往上依次连接的第一绝缘层、发射极、中间层和收集极，中间层包括自下往上依次连接的第二绝缘层、第一栅极和第三绝缘层；中间层上设有通孔结构，以使得所述发射极、中间层和收集极之间形成一个真空沟道，且发射极上设置有钙钛矿纳米线。本发明使用了钙钛矿纳米线作为发射材料，可以有效提升发射电流密度，弥补现有场发射器件的劣势。此外，电子在真空沟道中运动，能够缓解甚至避免太空辐射带来的影响的，具有耐高温、抗辐照的特性。
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公开(公告)号：CN115527820A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210659516.1
申请日：2022-09-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙电子源及其制备方法，所述纳米间隙电子源，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空电子源，以期获得低工作电压、高输出电流、快速响应和无需严格真空封装的技术优势，在新型电子元器件和微纳加工工艺具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成电子源、微焦点X射线管奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN214851137U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120696548.X
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京信息工程大学
Inventor： 徐季
IPC: H03F1/02
Abstract: 本实用新型公开了一种用于真空集成电路用的信号放大和采集装置，属于集成电路技术领域，包括活动座，所述活动座的背部活动套接有螺杆，所述螺杆的顶部固定连接有摇把，所述螺杆的外部螺纹套接有螺纹块，所述螺纹块的内部活动套接有支撑杆，所述螺纹块的顶部固定连接有电池箱，所述电池箱的内部固定安装有蓄电池；该用于真空集成电路用的信号放大和采集装置，通过设置活动座、螺杆、摇把、螺纹块和支撑杆，在信息放大和采集装置在使用的过程中，便于对不同高度的集成电路的电路信息进行放大和采集，使得放大采集的过程中操作简单且省时省力，从而有效的提高了信息放大和采集装置的工作效率。
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公开(公告)号：CN214313193U
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202120688577.1
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京信息工程大学
Inventor： 徐季
IPC: H01L23/49 , H01L23/02 , H01L25/07 , H01R13/639 , H01R13/62
Abstract: 本实用新型公开了一种用于真空沟道射频晶体管的端口输入输出装置，属于晶体管信息传输领域，包括外壳，所述外壳的一侧固定套接有一号连接端口，所述外壳的侧面固定套接有二号连接端口，所述外壳的内部铺设有防护层，所述外壳内腔的侧面固定连接有电路板；该用于真空沟道射频晶体管的端口输入输出装置，通过设置卡块、感应条和连接线，在一号连接端口与外接线连接时，使得卡块与感应层的内部接触，进而便于信号传输，同时增加了连接线的稳定性，且避免了现有的连接线与连接端口连接时容易发生松动，使得在使用的过程中发生脱落的问题，同时一号连接端口与外接线螺纹连接，提高了输出输入端口的连接稳定性。
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公开(公告)号：CN214789974U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120699514.6
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京信息工程大学
Inventor： 徐季
Abstract: 本实用新型公开了一种易组装可拆卸的动态X射线真空装置，属于X射线真空领域，包括真空罩，所述真空罩一侧的底部固定连接有固定板，所述真空罩顶部固定连接有连接杆，所述连接杆的内部固定连接有定位套，所述定位套的内部固定连接有稳定块，所述稳定块的底部固定连接有挡板，所述挡板的内部固定套接有一号螺母；该易组装可拆卸的动态X射线真空装置，通过设置连接杆、定位套、稳定块、挡板、一号螺母、螺纹杆、橡胶杆、一号弹簧、连接块和挂钩，可以更好的对动态X射线真空装置进行快速固定，避免了传统的动态X射线真空装置，难以进行进行快速固定的问题，从而更好的为动态X射线真空装置的使用带了便利。
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