公开(公告)号：CN115867053A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310103808.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 周吉宇 ,  刘洋硕 ,  丁海民 ,  柳青 ,  王青龙 ,  祁复功 ,  孔祥广 ,  李春燕

IPC: H10K30/50 ,  H10K30/15 ,  H10K30/88 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种利用界面钝化改善钙钛矿太阳能电池的方法，将制得的钙钛矿多晶薄膜的基底冷却至室温后，转移至旋涂仪吸盘，在上表面滴加一定量的碘化铵或溴化铵溶液，迅速以3000‑7000rpm的速度旋转10‑60秒，从而制得界面钝化修饰层，在界面钝化修饰层表面组装一层空穴传输层材料；将电极蒸镀到上述基底上，本发明中的钙钛矿太阳能电池的界面层由卤化铵钝化修饰，卤化铵中的卤素离子能够钝化全无机钙钛矿多晶薄膜表面卤素离子空位缺陷，另一方面可以适当降低铅富集缺陷，从而钝化了钙钛矿表面的未配位的缺陷，降低了非辐射复合，其钝化工艺简单，钝化剂成本低廉，钝化效果明显，可以促进钙钛矿太阳能电池的商业化应用前景。