一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构

    公开(公告)号:CN116846377A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310864701.9

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开一种级联半导体开关低感模块的拓扑及压装结构,属于电力电子技术领域。将传统级联二极管桥改为直串器件的二极管桥,分布式电容器改为集总式电容器,普通避雷器改为间隙/晶闸管‑避雷器,使得用于断路器的级联半导体开关模块的总电感大大降低,解决了目前级联半导体开关大电流关断过程中由于回路杂散电感大而引起的高关断电压对电力电子器件构成高瞬态功率冲击的问题;IGBT压装结构中相邻IGBT的集电极与发射极共用IGBT共用导电板,提高了半导体开关电压利用率的同时,省去了大部分单元内部和单元与单元之间的电气连接线,减少了回路面积,从而使得级联半导体开关模块的结构更加紧凑,空间占用少,且成本降低。

    一种柔直换流阀子模块电容器容值在线监测方法及系统

    公开(公告)号:CN118311333A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202211741858.4

    申请日:2022-12-31

    Abstract: 本发明提出的一种柔直换流阀子模块电容器容值在线监测方法及系统,通过获取VBC采样数据与VBC链路传输,根据所述VBC链路传输对所述VBC采样数据进行时间补偿,其中,补偿后的所述VBC采样数据包括:桥臂电流、IGBT触发信号以及电容器电压信号;再根据所述IGBT触发信号确定电容值计算的时间区间,再根据桥臂电流得到所述时间区间的电流,根据电容器电压信号得到所述时间区间的电压差;最后根据所述时间区间内的电流和电压差计算得到电容器的计算容值。本发明实现了在不增加子模块电容值采样电路的情况下,利用现有采样数据高精度计算出电容容值,相对于现有的监测方式使电容器容值计算精度得到大幅提升。

    降低大功率可关断器件损耗的方法、系统、设备及介质

    公开(公告)号:CN118631014A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202310202263.X

    申请日:2023-03-02

    Abstract: 本发明提供一种降低大功率可关断器件损耗的方法、系统、设备及介质,包括:获取外部上位机发送的状态控制门级信号,并基于所述状态控制门级信号,判断功率模块的状态是否为闭锁状态;当所述功率模块的状态为闭锁时,则控制所述功率模块中半桥上管处的大功率可关断器件S1和半桥下管处的大功率可关断器件S2关断;否则,根据所述功率模块是否为投入状态、电流大小和电流方向对大功率可关断器件S1和大功率可关断器件S2进行控制,其中,所述状态控制门级信号是对所述功率模块的状态进行判断和控制的。本发明根据判断功率模块的状态以及功率模块中的电流大小和电流方向,确定二极管中存在电流,并通过门级信号对BIGT器件进行关断,可以降低二极管损耗,从而降低功率模块整体损耗。

    一种用于DPFC子单元的试验电路、试验方法、设备及介质

    公开(公告)号:CN117055514A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310369100.0

    申请日:2023-04-07

    Abstract: 本发明提供了一种用于DPFC子单元的试验电路、试验方法、设备及介质,包括:电源电路、整流电路、逆变全桥电路和电抗器;所述整流电路的输入端与所述电源电路的输出端连接,输出端于所述逆变全桥电路的输入端连接;所述逆变全桥电路的其中一输出端通过所述电抗器连接于所述DPFC的电流采样电路端,另一输出端连接于过电压保护避雷器端,用于将所述整流电路输出的方波电压转换成正弦电流波,对所述DPFC子单元进行基本功能试验。本发明通过电源电路、整流电路、逆变全桥电路和电抗器成功了模拟输电线路的恒流特性,适用于检测DPFC子单元的各项功能和性能参数,克服了现有大功率电力电子装置只产生相对稳定的恒压源,而不适用对DPFC子单元的问题。

    一种用于双向晶闸管的触发电路和电力电子装置

    公开(公告)号:CN118353252A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410364026.8

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本申请提供了一种用于双向晶闸管的触发电路和电力电子装置。触发电路可以用于通过控制双向晶闸管使功率模块旁路。触发电路包括第一触发模块和传输模块。第一触发模块用于根据来自功率模块的驱动信号输出第一脉冲信号,传输模块用于将第一脉冲信号传输给双向晶闸管使双向晶闸管短路或双向导通。本申请能够快速控制双向晶闸管短路或使双向晶闸管双向导通,保证功率模块的安全性。同时,避免出现电磁式真空开关的机械结构存在卡涩拒动风险以及冲击电流会导致合闸可靠性差的问题,还可以避免气体膨胀式一次性开关存在的动作时间长、维修便利性差等问题。

    一种半桥型MMC子模块拓扑结构

    公开(公告)号:CN111245267A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010096952.3

    申请日:2020-02-17

    Abstract: 本发明提供一种半桥型MMC子模块拓扑结构,包括半桥子模块和镜像子模块;半桥子模块的负极端连接所述镜像子模块的正极端,半桥子模块的正极端构成MMC子模块的正极端,镜像子模块的负极端构成MMC子模块的负极端。本发明中的旁路模块、取能模块和控制模块均能够调节MMC子模块的体积、重量和经济性,且取能模块中的输入单元与第一直流电容C1和第二直流电容C2均并联,用于实现输入单元的完全冗余,控制模块能够在半桥子模块、镜像子模块单一故障时仍具备长时间、完整的控制保护能力,大大降低模块化多电平换流器桥臂断路或柔性直流输电系统闭锁跳闸的可能性,进而降低换流阀桥臂短路或柔性直流输电系统闭锁跳闸概率,提高了换流阀可靠性。

    一种降低大功率器件关断过电压的优化控制方法和系统

    公开(公告)号:CN119448149A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202310967246.5

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本发明申请提供了一种降低大功率器件关断过电压的优化控制方法和系统,包括:获取IGBT器件工作状态、半桥功率模块桥臂的回路电流变化率和当前变化率参考值;判断IGBT器件工作状态是否为关断状态,若否,则基于预设时段内关断过电压数据和电压预设值,更新所述变化率参考值,若是,则基于所述变化率参考值和所述回路电流变化率,对IGBT器件的门极开关进行控制;本发明申请基于更新的变化率参考值和回路电流变化率,对IGBT器件的门极开关进行控制,在抑制关断过电压的同时减少门极开关的变化频率,实现了对于大功率器件IGBT关断过程中的优化控制。

Patent Agency Ranking