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公开(公告)号：CN113589205B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110854339.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。
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公开(公告)号：CN113589205A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110854339.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋波衍射效应的探测界面DM作用强度的方法，属于自旋电子学领域。本发明基于在一定条件下，最强衍射束偏转角的正弦值与DM作用常数近似满足简单的线性关系，通过测量最强衍射束偏转角的正弦值来测量DM作用常数，不需要分辨自旋波波长变化，测量方法不受波长分辨率的限制，因而可以适用于更宽频率范围(20GHz到100GHz，以坡莫合金波导系统为例)的自旋波下的DM作用强度的测量，突破了传统BLS等方法对波长分辨率的限制，这对于未来研究基于界面DM作用的自旋波特别是交换自旋波有着很大的作用。
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