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公开(公告)号：CN113278579B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110565701.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12N5/00
Abstract: 本发明涉及细胞三维培养体系、其制备方法及其应用。该培养体系包括培养支架，其分布有至少一个第一室和至少一个第二室，第一室与第二室之间具有至少一个通孔；容纳于第一室和第二室内的营养物，营养物可自由穿梭通孔；支持细胞，可容纳于第一室内；共培养细胞，可容纳于第二室内；维持物，用于维持共培养细胞的三维结构及其生长所需微环境。该细胞三维培养体系形成共培养体系，维持共培养细胞在体内所需的微环境及促进共培养细胞的迁移和发育，改善共培养细胞培养所需微环境，保证其发育及成熟，以便产生其所应在体内具有的生理功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116707494A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310927715.0
申请日：2023-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多波形磁场发生装置及控制方法，属于低强度脉冲功率领域。本发明采用调压电路及桥式电路两级联合闭环调控的方式，实现多参数可调、陡上升沿、高稳定度的磁场。首先利用调压电路，实现可控高压，使其输出电压根据不同目标磁场幅值同步变化，保证脉冲磁场的快速上升，且最小化上升阶段与平顶阶段磁体所需要的压差，降低闭环控制的难度；运用桥式电路实现输出磁场波形的灵活性。其次，采用混合控制器，在磁场上升阶段利用滞回控制器的最优瞬态特性，在平顶阶段则运用PI控制器的强跟踪能力，保证了磁场平顶期间的稳定性。此外，本发明通过提供合适的续流回路消除了磁体寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN116707494B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310927715.0
申请日：2023-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多波形磁场发生装置及控制方法，属于低强度脉冲功率领域。本发明采用调压电路及桥式电路两级联合闭环调控的方式，实现多参数可调、陡上升沿、高稳定度的磁场。首先利用调压电路，实现可控高压，使其输出电压根据不同目标磁场幅值同步变化，保证脉冲磁场的快速上升，且最小化上升阶段与平顶阶段磁体所需要的压差，降低闭环控制的难度；运用桥式电路实现输出磁场波形的灵活性。其次，采用混合控制器，在磁场上升阶段利用滞回控制器的最优瞬态特性，在平顶阶段则运用PI控制器的强跟踪能力，保证了磁场平顶期间的稳定性。此外，本发明通过提供合适的续流回路消除了磁体寄生电容的影响。
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公开(公告)号：CN113278579A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110565701.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: C12N5/00
Abstract: 本发明涉及细胞三维培养体系、其制备方法及其应用。该培养体系包括培养支架，其分布有至少一个第一室和至少一个第二室，第一室与第二室之间具有至少一个通孔；容纳于第一室和第二室内的营养物，营养物可自由穿梭通孔；支持细胞，可容纳于第一室内；共培养细胞，可容纳于第二室内；维持物，用于维持共培养细胞的三维结构及其生长所需微环境。该细胞三维培养体系形成共培养体系，维持共培养细胞在体内所需的微环境及促进共培养细胞的迁移和发育，改善共培养细胞培养所需微环境，保证其发育及成熟，以便产生其所应在体内具有的生理功能。
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公开(公告)号：CN118910035A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410730235.X
申请日：2024-06-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于电磁生物学领域，具体公开了一种对体外培养的卵母细胞施加电磁脉冲的方法。所述方法包括对生发泡期的所述卵母细胞施加频率为1～100Hz，强度为1～10mT，时间为5～20min的电磁脉冲。本申请首次将脉冲磁场应用于卵母细胞，建立了卵母细胞成熟和发育能力改善的新方式，其能显著提高卵母细胞的成熟和发育能力，进而改善着卵泡的正常发育，总体上改善了卵巢储备功能下降的问题；此外，本申请使用电磁场这一物理疗法，是一种非侵入性技术，大大增加了其应用的安全性和有效性。
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