公开(公告)号：CN104505117B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201410851866.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  高英华 ,  石志伟 ,  何宏 ,  张鹏剑

IPC: G11C11/406

Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。

公开(公告)号：CN104505117A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410851866.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  高英华 ,  石志伟 ,  何宏 ,  张鹏剑

IPC: G11C11/406

Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。