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公开(公告)号：CN117801229A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211170629.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物及其绿色制备方法与应用。所述聚合物其结构式如式Ⅰ所示。所述苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物的合成原料都可以简单合成或者从商业途径大量采购得到，制备方法绿色环保，步骤少，宜于大规模合成。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物具有宽的紫外‑可见光吸收光谱，优良的热学稳定性，优异的成膜性能，有望通过溶液法制备高性能聚合物场效应晶体管器件。本发明苯并呋喃酮二吲哚酮‑二噻吩乙烯类聚合物为半导体层制备的薄膜场效应晶体管具有优秀的空穴/电子迁移率，具有十分广阔的潜在应用前景。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117209724A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210608099.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R1和R2选自C10‑C100的直链或支链烷基中的至少一种，n为5～200。本发明式Ⅰ所示聚合物通过底物由Stille偶联反应和Aldol反应制备单体，单体进行共轭偶联的方法制备得到。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明的氮杂乙烯桥连双异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.65cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.75cm2·V‑1·s‑1。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117209723A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210606956.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物及其制备方法与应用。本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物结构式如式Ⅰ所示，式Ⅰ中，R1和R2选自直链或支链烷基中的任意一种：C5‑C80的直链或支链烷基，聚合度n为5～200。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，宜于大规模合成。以本发明乙烯桥连氮杂异靛蓝聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，电子迁移率最高为1.60cm2·V‑1·s‑1，空穴迁移率最高为0.70cm2·V‑1·s‑1。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107698743B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201710896869.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm2V‑1s‑1，开关比大于104；在PFET器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103676327B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310687772.2
申请日：2013-12-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02F1/1337 , G02F1/137 , G02F1/1333
Abstract: 本专利发明了一种有光响应特性的多反射带的层状胆甾相液晶复合薄膜及工艺，是一种可以光调控的光学材料。该薄膜由三层的胆甾相液晶叠加而成，可以最多反射三个波段的光，光的范围至少可以覆盖400 ? 2000 nm的波长范围。其中一层胆甾相液晶的反射波峰可以在特定波长的光的辐照下发生移动，与其他两层胆甾相液晶的反射带相互作用时，能使薄膜具有不同的光学效应。在一定的辐照时间后，可以产生对某一波段的光产生完全反射，继续的辐照可以这种完全的反射消失。并且这种不同反射状态之间的转化可以用一束特定波长的光进行精确的调控。此外，该薄膜的最初状态在光或热的作用下得以恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103204634A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310082902.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: C03C17/00
Abstract: 一种半导体硫化物生物高分子纳米复合薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。其特征是利用旋转涂覆法制备掺杂型ZnS（ZnS:M,其中M=Cd,Cu,Ag,Sm,Eu,Tb等）、掺杂型CdS（CdS:M,其中M=Zn,Cu,Ag,Sm,Eu,Tb等）及合金型硫化物ZnxCd1-xS(x=1-9)与生物高分子壳聚糖和海藻酸钠的复合多层薄膜。所用金属盐为相应金属的醋酸盐、硝酸盐或氯化物。原料成本低廉，制备操作简单，有利于实现产品的大规模工业化生产。所制备的掺杂型及合金型金属硫化物/壳聚糖多层薄膜具有结构均一性和性能稳定性，发光性能良好，且可以通过调节成分及比例来调控薄膜的发光颜色。
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公开(公告)号：CN100487076C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710062975.7
申请日：2007-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法，属于液晶材料应用领域。基体材料是可光聚合的混合单体，所用液晶是向列相液晶，液晶和单体的质量比是8∶1-1∶1。加入光引发剂的含量为单体总质量的0.1wt%-30.0wt%，纳米微珠的含量约为液晶和单体总质量的0.1wt%-10.0wt%，用来控制膜厚。将液晶、可光聚合单体、光引发剂和纳米微珠均匀混合后夹在两片镀有氧化铟的导电塑料薄膜中间，用滚轴挤压，形成0.5微米至30微米厚的膜层，在可光聚合单体/液晶复合材料的液晶相的清亮点温度以上0.5℃-20.0℃使用365nm的紫外光进行照射1-10分钟，制备成高分子分散液晶薄膜。优点在于：制备具有低驱动电压、高对比度、性能稳定和结实耐用的高分子分散液晶薄膜材料。
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公开(公告)号：CN101225298A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710062833.0
申请日：2007-01-18
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 一种空穴传输型蓝光化合物，为基于9，9－二(4－(二－对甲苯基)氨基苯基)芴的衍生物，其制备方法为：将9，9－二[4－(N，N－二对甲苯胺基)苯基]－2－溴芴与共轭基团的硼酸频哪酯混合，或将9，9－二[4－(N，N－二对甲苯胺基)苯基]芴－2，7－二硼酸频哪酯与共轭基团的溴化物混合；加入甲苯、碳酸钾溶液、aliquat336、催化剂四(三苯基膦)钯，在氮气氛围下加热回流10－30小时；反应结束后，减压除去溶剂得到目标产物单边共轭基团取代的9，9－二(4－(二－对甲苯基)氨基苯基)芴的衍生物；该类化合物应用于电致发光器件中时，它们作为空穴传输层兼发光层。
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公开(公告)号：CN1776514A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510086997.8
申请日：2005-11-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种智能化光屏蔽薄膜材料的制备方法，属于液晶应用领域。使用具有近晶相到手征向列相相转变的液晶，将近晶相液晶分子垂直于基体的排列方式固定下来，使其在近晶相时呈现光透明态，在温度高于近晶相到手征向列相相转变温度后，在手征向列相时，分子排列呈焦锥织构，呈现非透明态；两种状态随温度的变化可以自动转换。本发明的优点在于：可以实现光的自动通过与隔断。低温下保持透明态，可以使光通过，提高室内温度；温度高时，自动隔断太阳光，保持室内温度，从而有利于能源的节省；与传统的PDCL薄膜相比，无须人为控制，也没有额外的驱动，更加智能化和节约化。
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公开(公告)号：CN108976395A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810906826.2
申请日：2018-08-10
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
IPC: C08G61/12 , C07D409/14 , C07D519/00 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物与其在有机场效应晶体管中的应用。所述基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物结构式如式Ⅰ所示。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，产率高宜于大规模合成。以本发明的基于新型氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.37cm2V-1s-1，开关比均大于105。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
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