公开(公告)号：CN102746853B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201210205217.7

申请日：2012-06-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  赵玉真 ,  苗宗成 ,  杜政才 ,  李毕荣 ,  金召奎 ,  梁蓬霞 ,  弥永胜 ,  张婉姝

IPC: C07D249/06 ,  C09K19/34 ,  C09K19/56

Abstract: 本发明涉及一类三唑类液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域，该类化合物制备方法包括：点击化学反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类三唑类液晶化合物,分子端基具有吸电子基团和供电子基团，具有相当宽的温域范围。本发明制备的三唑类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。

公开(公告)号：CN102443402A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110332527.0

申请日：2011-10-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王玲 ,  何万里 ,  李毕荣

IPC: C09K19/52 ,  C09K19/34

Abstract: 本发明提供了一种宽温蓝相液晶复合材料的制备方法，该方法是将弯曲型的液晶分子如噁二唑类、噻吩类等，按一定比例添加到小分子向列相混晶中，再添加适量的一种或几种螺旋扭曲力（HTP）为8μm-1～100μm-1的手性化合物，以诱导并拓宽蓝相液晶的温域，温度范围可达5℃～30℃。此发明不仅制备简单，效果显著，而且所制备的体系稳定性好、粘度低、对电场响应速度快。

公开(公告)号：CN102443402B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201110332527.0

申请日：2011-10-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王玲 ,  何万里 ,  李毕荣

IPC: C09K19/52 ,  C09K19/34

Abstract: 本发明提供了一种宽温蓝相液晶复合材料的制备方法，该方法是将弯曲型的液晶分子如噁二唑类、噻吩类等，按一定比例添加到小分子向列相混晶中，再添加适量的一种或几种螺旋扭曲力（HTP）为8μm-1～100μm-1的手性化合物，以诱导并拓宽蓝相液晶的温域，温度范围可达5℃～30℃。此发明不仅制备简单，效果显著，而且所制备的体系稳定性好、粘度低、对电场响应速度快。

公开(公告)号：CN102746853A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210205217.7

申请日：2012-06-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  赵玉真 ,  苗宗成 ,  杜政才 ,  李毕荣 ,  金召奎 ,  梁蓬霞 ,  弥永胜 ,  张婉姝

IPC: C09K19/34 ,  C09K19/56 ,  C07D249/06

Abstract: 本发明涉及一类三唑类液晶化合物及其制备方法，属于液晶化合物技术领域，该类化合物制备方法包括：点击化学反应，去三甲基硅反应，Sonogashira偶联反应等。本发明制备的一类三唑类液晶化合物,分子端基具有吸电子基团和供电子基团，具有相当宽的温域范围。本发明制备的三唑类液晶化合物用于显示会有效地减少显示器的厚度，增加相应速率，提高液晶的光电各项异性。且本发明的化合物亦是性能优良的液晶分子取向材料、空间光调节材料、PDLC薄膜材料及光存贮聚合单体材料。