公开(公告)号：CN102603568A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110383773.9

申请日：2011-11-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨槐 ,  王冬 ,  张永明 ,  苗宗成 ,  张辰楠 ,  金召奎

IPC: C07C255/50 ,  C07C253/30 ,  C07C25/24 ,  C07C17/269 ,  C07C331/28 ,  C09K19/18

Abstract: 本发明属于液晶化合物合成技术领域，涉及含氟双二苯乙炔类液晶化合物及其制备方法。该化合物结构如下所示：其中n为1-4的整数，R1为供电子基团，R2为吸电子基团。该类化合物主要经Sonogashira偶联反应和去三甲基硅反应得到。本发明制备的一类含氟双二苯乙炔液晶化合物具有大的π-电子共轭体系，分子端基具有吸电子基团和供电子基团，且分子无对称性。本发明制备的含氟双二苯乙炔类液晶化合物具有大双折射率，且分子两端基团的特点，将在非线性光学、3D图像显示、空间光调制器及光学设备上有很大的应用前景。