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公开(公告)号：CN118028809B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410120664.5
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于稀土金属复合薄膜制备碳纳米管光致发光材料的方法，属于发光材料领域。本发明以双面抛光硅或氧化硅作为衬底材料，通过射频磁控溅射的方法先在衬底上制备过渡金属Fe或N i，形成催化剂薄膜，再在得到过渡金属催化剂薄膜上，通过射频磁控溅射一层稀土金属薄膜Eu，所述稀土Eu薄膜的厚度为10‑20nm。然后通过等离子增强化学气相沉积技术制备多壁碳纳米管。本发明利用磁控溅射沉积稀土金属与过渡金属复合薄膜，生长低成本、高纯度、质量性能稳定的碳纳米管光致发光材料，将具有光热转换性能的碳纳米管与稀土材料相结合，显著提高复合纳米材料的发光性能。
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公开(公告)号：CN119430157A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411502753.2
申请日：2024-10-25
IPC: C01B32/162
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管生长中分散金属催化剂纳米颗粒方法，属于碳纳米材料制备领域。其特征在于，包括以下步骤：1）清洗衬底，去除表面污染物与杂质；2）旋涂一层光刻胶于衬底表面，并烘干；3）在带有光刻胶的衬底表面沉积一层金属催化剂薄膜；4）进行催化剂退火处理；5）通入反应气体，进行碳纳米管生长。本发明将光刻胶用于碳纳米管的前序生长阶段，利用高温下光刻胶会发生脱水褶皱的材料属性，可有效阻止退火阶段金属催化剂薄膜发生团聚的现象，具有降低碳纳米管直径、壁数和增加碳纳米管密度的优点。
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公开(公告)号：CN114959631A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210455412.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , H05H1/46
Abstract: 一种双端馈入微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积装置，属于微波等离子体法化学气相沉积领域。本装置具有双端微波馈入及谐振结构沿衬底呈左右对称的特性，可在衬底左右两侧同时产生等离子体，利用电子回旋共振等离子体高电子能量、高电离度、低沉积压强的性质，可实现Φ60‑200mm衬底两侧薄膜的同时沉积或一次性沉积两片薄膜。磁场谐振线圈产生875Gs的磁感应强度的电子回旋共振面，磁场整型线圈产生875Gs磁感应强度的整型磁场，谐振磁场与整型磁场的耦合提升了等离子体的均匀性，在增大沉积面积的同时提升了薄膜的均匀性。位于环形天线下方的石英介质窗口有效避免等离子体的加热、污染与刻蚀。本发明均匀性高，能降低薄膜沉积、表面处理成本，提高腔室的空间利用率。
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公开(公告)号：CN118983264A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410880418.X
申请日：2024-07-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , B82Y40/00 , C01B32/15
Abstract: 一种金刚石器件互连线的制备方法，属于超宽禁带半导体电子器件的加工与制备领域。其特征在于：设计电路版图，清洗金刚石衬底（110）；然后进行光刻工艺，制备器件单元（120）及互连区域（130）；在金刚石表面互连区域镀制金属催化剂（131）；在金刚石表面原位生长导电碳纳米材料（132）作为互连线。本发明在金刚石衬底上获得低阻且稳定的欧姆接触互连线，有效避免目前由超薄金属薄膜形成的互连线断裂后导致器件失效的限制；碳纳米材料互连线可在高温高压的条件下正常工作，能够满足金刚石器件未来工作环境的需求。所得互连线与金刚石衬底的接触电阻低，结合力强，且能耐高温高压工作环境，为未来金刚石基集成电路制备的后端工艺奠定了良好的基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118028809A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410120664.5
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于稀土金属复合薄膜制备碳纳米管光致发光材料的方法，属于发光材料领域。本发明以双面抛光硅或氧化硅作为衬底材料，通过射频磁控溅射的方法先在衬底上制备过渡金属Fe或N i，形成催化剂薄膜，再在得到过渡金属催化剂薄膜上，通过射频磁控溅射一层稀土金属薄膜Eu，所述稀土Eu薄膜的厚度为10‑20nm。然后通过等离子增强化学气相沉积技术制备多壁碳纳米管。本发明利用磁控溅射沉积稀土金属与过渡金属复合薄膜，生长低成本、高纯度、质量性能稳定的碳纳米管光致发光材料，将具有光热转换性能的碳纳米管与稀土材料相结合，显著提高复合纳米材料的发光性能。
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公开(公告)号：CN115132561B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210623367.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01J37/32 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/458
Abstract: 一种环形阶梯同轴天线式微波等离子体化学气相沉积装置。包括：2.45GHz微波电源、矩形波导、三销钉调配器、短路活塞、同轴线模式转换器、环形阶梯同轴天线、环形石英窗、圆柱形微波谐振腔、测温窗口、观察窗口、进气口、排气口、冷却水口、可升降式衬底台结构、可升降式基台调谐结构。环形阶梯同轴天线由从上至下分别由三个不同直径的环形阶梯凹槽构成，对微波电场和等离子体具有压缩效应，使微波电场和等离子体在衬底表面上方分布更加均匀。环形石英窗安置于环形阶梯同轴天线下方，远离等离子体，提升设备真空性的同时避免了等离子对石英介质窗口的刻蚀。本装置用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜，可实现高功率、高腔压下金刚石单晶或大面积薄膜的高质量均匀沉积。
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公开(公告)号：CN119208439A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411160438.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/024 , H01L31/108 , B81C1/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有超快冷却结构的光电探测器的制备方法，属于光电子器件散热领域。该光电探测器结构从下至上依次是：两层相互垂直的金刚石基液体流动通道、硅、垂直石墨烯及两侧源极和漏极，具体是将钼丝置于具有微槽道的硅衬底上生长金刚石膜，对金刚石膜处理加工新的微槽道后再次放置钼丝沉积金刚石，制备两层相互垂直的金刚石基液体流动通道得到超快冷却结构，再在具有超快冷却结构的硅片平整面上沉积垂直石墨烯膜，最后在垂直石墨烯上镀制金属电极并进行图形化。本发明结合金刚石优异的导热特性，通过两层相互垂直的金刚石基液体流动通道构建超快冷却结构，进而实现高效散热以保证光电探测器的工作稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115466954A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211222879.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种金刚石/石墨烯/碳纳米管全碳基复合材料的制备方法，属于复合材料制备领域。首先对金刚石基底进行预处理，之后在金刚石表面镀覆催化层，接着采用直流喷射等离子体电弧炉对镀有催化层的金刚石进行快速热处理得到金刚石/石墨烯材料，然后镀覆或涂覆生长碳纳米管的催化剂，最后采用化学气相沉积法在石墨烯表面生长垂直碳纳米管，最终获得金刚石/石墨烯/碳纳米管全碳基复合材料。本发明复合材料制备方法工艺成熟，通过石墨烯作为中间过渡层以共价键分别连接金刚石和垂直阵列碳纳米管，具有稳定的键合方式，兼具优异的热学性能和独特的电学性能，实现了高稳定性、高性能全碳基复合功能材料的制备，有望满足未来功率电子器件的设计和应用。
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公开(公告)号：CN115132561A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210623367.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01J37/32 , C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/458
Abstract: 一种环形阶梯同轴天线式微波等离子体化学气相沉积装置。包括：2.45GHz微波电源、矩形波导、三销钉调配器、短路活塞、同轴线模式转换器、环形阶梯同轴天线、环形石英窗、圆柱形微波谐振腔、测温窗口、观察窗口、进气口、排气口、冷却水口、可升降式衬底台结构、可升降式基台调谐结构。环形阶梯同轴天线由从上至下分别由三个不同直径的环形阶梯凹槽构成，对微波电场和等离子体具有压缩效应，使微波电场和等离子体在衬底表面上方分布更加均匀。环形石英窗安置于环形阶梯同轴天线下方，远离等离子体，提升设备真空性的同时避免了等离子对石英介质窗口的刻蚀。本装置用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜，可实现高功率、高腔压下金刚石单晶或大面积薄膜的高质量均匀沉积。
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