公开(公告)号：CN113471296B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202110589125.2

申请日：2021-05-28

Applicant: 北京机械设备研究所

Inventor： 刘立滨 ,  许诺 ,  臧金良 ,  汪震海 ,  韩丹红

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请揭示了一种高电压薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极材料、厚栅介质层、薄栅介质层、半导体薄膜材料层、钝化层、源电极、漏电极，其中：栅电极材料位于衬底的部分区域上；厚栅介质层的厚度大于薄栅介质层的厚度，厚栅介质层位于衬底上且与栅电极材料一侧边相贴合，薄栅介质层覆盖于衬底、栅电极材料以及厚栅介质层的上方；源电极位于半导体薄膜材料层第一端上方，漏电极位于半导体薄膜材料层第二端上方，钝化层位于源电极和漏电极之间。本申请通过将栅介质层分为两种厚度，与源电极相连的栅介质层厚度较薄，与漏端连接的栅介质层厚度较厚，半导体薄膜材料覆盖栅介质层，并且与源电极和漏电极连接，形成导电通道；能够耐受更高的电压。

公开(公告)号：CN113471296A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110589125.2

申请日：2021-05-28

Applicant: 北京机械设备研究所

Inventor： 刘立滨 ,  许诺 ,  臧金良 ,  汪震海 ,  韩丹红

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请揭示了一种高电压薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极材料、厚栅介质层、薄栅介质层、半导体薄膜材料层、钝化层、源电极、漏电极，其中：栅电极材料位于衬底的部分区域上；厚栅介质层的厚度大于薄栅介质层的厚度，厚栅介质层位于衬底上且与栅电极材料一侧边相贴合，薄栅介质层覆盖于衬底、栅电极材料以及厚栅介质层的上方；源电极位于半导体薄膜材料层第一端上方，漏电极位于半导体薄膜材料层第二端上方，钝化层位于源电极和漏电极之间。本申请通过将栅介质层分为两种厚度，与源电极相连的栅介质层厚度较薄，与漏端连接的栅介质层厚度较厚，半导体薄膜材料覆盖栅介质层，并且与源电极和漏电极连接，形成导电通道；能够耐受更高的电压。