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公开(公告)号:CN118777275A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410814402.9
申请日:2024-06-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种利用荧光示踪技术鉴别S型阴极近表面活性物质的方法,属于电子发射材料监测领域。通过将荧光探针Eu3+与S型阴极制备技术结合,得到了荧光化S型阴极。荧光化S型阴极在荧光测试中能够明显的反映钨基体和活性物质的分布,通过荧光信号采集实现S型阴极近表面活性物质存在状态的快速无损分析,并可以简便直观的观察活性物质的分布。荧光探针的引入不会引发阴极发射性能的降低,因此可以较为准确的反映阴极的工作情况,为阴极性能进一步优化提供了依据。
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公开(公告)号:CN119208110A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411301918.X
申请日:2024-09-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有密排六方结构的高熵覆膜热阴极及其制备方法。其制备方法为:(1)将钨粉、铼粉、锇粉、钽粉和钼粉混合后球磨,再烧结成型;(2)采用电弧熔炼技术使步骤(1)的产物熔化,再经冷却固化后制成靶材;(3)将步骤(2)制备的靶材覆膜至阴极材料表面,然后经退火处理制得单相高熵合金覆膜的热阴极材料。本发明通过在传统扩散阴极表面覆高熵合金膜层,并通过热处理实现膜层向基体内部扩散与钨或者钨合金发生进一步合金化,形成表面具有密排六方结构的高熵覆膜阴极。有效的利用了高熵合金膜层扩散系数低、表面晶格存在畸变等优势,实现降低阴极表面的逸出功的作用,进而提高阴极的发射能力。
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公开(公告)号:CN119108246A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411204238.6
申请日:2024-08-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于难熔金属网转角堆叠制备扩散阴极的方法,属于扩散阴极领域。将多层钨网圆片采用转角度层叠的方式装入模具中,双向压制成型,得到阴极生坯;然后在高温钨网氢气炉纯氢气氛中进行烧结;进行浸渍预处理,纯氢气氛中进行烧结浸盐,最终得到阴极。本发明方法制备的阴极可根据需要设置或调解不同的孔隙率和孔隙结构,进而使得扩散阴极浸渍量大、发射性能良好。
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