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公开(公告)号：CN108931807A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810824461.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 北京大学 , 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明提供一种探测空间粒子可变采样快门时间的采样方法、系统及设备，所述方法包括：将采样快门时间按照时间片数划分，并于每一个时间片数检测存储器的存储量状态；当在经历第N个时间片数时检测到存储量状态为半满标识状态，采样快门时间为N×k，1≤N≤Nmax，k为单个时间片的长度，Nmax为最大时间片数；当第Nmax个时间片数时检测存储量状态未达到半满标识状态，采样快门时间为Nmax×k；在检测到存储量状态为半满标识状态或达到第Nmax个时间片数时，停止采样，从存储器读取空间粒子信号，根据当前经历的时间片数、最大时间片数、当前经历的时间片数所记录的空间粒子数确定估算总粒子数。本发明能够实现动态调整采样快门时间，提高粒子探测中通量测量的动态范围，提高采样效率。
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公开(公告)号：CN108931807B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810824461.9
申请日：2018-07-24
Applicant: 北京大学 , 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明提供一种探测空间粒子可变采样快门时间的采样方法、系统及设备，所述方法包括：将采样快门时间按照时间片数划分，并于每一个时间片数检测存储器的存储量状态；当在经历第N个时间片数时检测到存储量状态为半满标识状态，采样快门时间为N×k，1≤N≤Nmax，k为单个时间片的长度，Nmax为最大时间片数；当第Nmax个时间片数时检测存储量状态未达到半满标识状态，采样快门时间为Nmax×k；在检测到存储量状态为半满标识状态或达到第Nmax个时间片数时，停止采样，从存储器读取空间粒子信号，根据当前经历的时间片数、最大时间片数、当前经历的时间片数所记录的空间粒子数确定估算总粒子数。本发明能够实现动态调整采样快门时间，提高粒子探测中通量测量的动态范围，提高采样效率。
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公开(公告)号：CN103323764B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310268800.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法。本发明的漏电流检测仪包括：可调负高压电源模块、探测器偏压测量模块、取样电阻网络及探测器漏电流测量模块；取样电阻网络包括第一、第二和第三电阻R1、R2和R3；R2和R3串联，然后与R1并联；并且设置两组开关，分别测量不同范围的漏电流。本发明对硅PIN半导体探测器的特性进行了针对性设计，具有测量极小漏电流(0.1nA)、大漏电流范围(0.1nA到200μA)、检测击穿电压等功能，另外具有测试环境简单、使用方便、测量准确、成本低廉等特点，非常方便硅PIN半导体探测器的筛选和长期老化测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109857A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110312004.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明提供一种中能电子探测探头及中能电子探测器，所述中能电子探测探头包括多个小孔成像结构探测单元、放大器板、探头支架，以及多个探头侧盖板。在一可选实施例中，包括四个线阵列小孔成像结构探测单元和一个面阵列小孔成像结构探测单元，四个线阵列小孔成像结构探测单元两两相对设置，形成位于相互垂直的截面上的两组探测单元。由此，四个线阵列和一个面阵列小孔成像结构的探测单元构成十字架型的成像探头，可以覆盖2×180°×60°的张角范围，进而能够实现采用三轴稳定卫星平台的条件下对‘准2π’方向角入射的中能电子的高时间分辨率、角度分辨率测量。
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公开(公告)号：CN103323764A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310268800.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法。本发明的漏电流检测仪包括：可调负高压电源模块、探测器偏压测量模块、取样电阻网络及探测器漏电流测量模块；取样电阻网络包括第一、第二和第三电阻R1、R2和R3；R2和R3串联，然后与R1并联；并且设置两组开关，分别测量不同范围的漏电流。本发明对硅PIN半导体探测器的特性进行了针对性设计，具有测量极小漏电流(0.1nA)、大漏电流范围(0.1nA到200μA)、检测击穿电压等功能，另外具有测试环境简单、使用方便、测量准确、成本低廉等特点，非常方便硅PIN半导体探测器的筛选和长期老化测试。
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公开(公告)号：CN113109857B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110312004.3
申请日：2021-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明提供一种中能电子探测探头及中能电子探测器，所述中能电子探测探头包括多个小孔成像结构探测单元、放大器板、探头支架，以及多个探头侧盖板。在一可选实施例中，包括四个线阵列小孔成像结构探测单元和一个面阵列小孔成像结构探测单元，四个线阵列小孔成像结构探测单元两两相对设置，形成位于相互垂直的截面上的两组探测单元。由此，四个线阵列和一个面阵列小孔成像结构的探测单元构成十字架型的成像探头，可以覆盖2×180°×60°的张角范围，进而能够实现采用三轴稳定卫星平台的条件下对‘准2π’方向角入射的中能电子的高时间分辨率、角度分辨率测量。
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公开(公告)号：CN110308476B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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公开(公告)号：CN110308476A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910698054.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 本发明提供一种粒子辐射探测方法及探测装置，该方法包括对放大器产生的与粒子沉积能量对应的电脉冲信号进行脉冲宽度甄别，并输出与电脉冲信号幅度相对应的逻辑信号。本发明通过建立脉冲幅度与脉冲宽度之间的关系，以脉冲宽度分析方法获得脉冲幅度值，根据脉冲幅度值的甄别和计数实现粒子能谱通量的测量。脉冲宽度分析解决了脉冲峰值电压与甄别器电压上限之间的矛盾，不会因电压上限限制影响脉冲从宽度到幅度的分析结果，因此能够实现超过甄别器电压上限的粒子能谱探测，提高探测的能谱范围。脉冲宽度分析采用数字电路完成，无需对脉冲峰值进行识别及保持，也无需脉冲幅度的模数转换，简化电路设计，更加适合低电压工作，并提高探测的准确度。
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