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公开(公告)号：CN117185252A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311161764.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了电子器件及制备方法、测试电路及制备方法、测试方法，电子器件包括基底和形成于基底表面的纳米电极对，纳米电极对至少包括两个纳米电极，两个纳米电极之间具有纳米间隙，两个纳米电极相向地布置。通过改变纳米电极的组成及形貌参数，或在纳米电极表面修饰形成包覆层来稳定纳米电极在界面处的原子，降低原子摆脱晶格束缚并在基底表面定向运动的可能性；或者刻蚀纳米间隙底部的二氧化硅基底，阻断原子的迁移路径。从而有效抑制原子迁移，实现对载流子输运过程的调控。
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