-
公开(公告)号：CN102788777B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110131032.1
申请日：2011-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种微流控表面增强拉曼散射检测器件及其制备方法与应用。该器件由活性基底和含有微流通道的结构层组成，在活性基底和结构层之间形成微流通道腔，在对应于微流通道腔的活性基底上设有若干个纳米凹孔结构；在对应于微流通道腔的结构层上设有至少一对均与微流通道腔相通的入液口和出液口；位于所述微流通道腔内的活性基底表面和所述纳米凹孔表面均覆盖一层金属层。该器件成品率高、成本低廉、检测一致性好、无噪声干扰、可实时监测的双层聚二甲基硅氧烷结构微流控表面增强拉曼散射检测器件。该微流控检测器件可用于气态、胶体尤其是液态环境中待分析物的检测。
-
公开(公告)号：CN103657276A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310717668.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种细颗粒物过滤结构及其制备方法。该过滤结构包括若干微小颗粒过滤结构层和若干聚合物层，每2层微小颗粒过滤结构层之间键合聚合物层；微小颗粒过滤结构层包括基底，基底上设有贯通其上端面和下端面的空气流通腔体；基底的上端面上设有镂空结构层，镂空结构层包括设于其内的若干微米孔洞；镂空结构层上于微米孔洞的上部设有横向纳米纤维体；镂空结构层上设有纵向纳米纤维体，且纵向纳米纤维体覆盖住横向纳米纤维体；聚合物层包括聚合物材料体，聚合物材料体上设有贯通其上端面和下端面的贯通孔洞；聚合物材料体的上端面和下端面上均设有粘附层，聚合物材料体通过粘附层分别与相邻微小颗粒过滤结构层的上端面和下端面进行键合。
-
公开(公告)号：CN101508419B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910080158.3
申请日：2009-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底；2)在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；8)去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。
-
公开(公告)号：CN101508419A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910080158.3
申请日：2009-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底；2)在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；8)去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。
-
公开(公告)号：CN103657276B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310717668.3
申请日：2013-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种细颗粒物过滤结构及其制备方法。该过滤结构包括若干微小颗粒过滤结构层和若干聚合物层，每2层微小颗粒过滤结构层之间键合聚合物层；微小颗粒过滤结构层包括基底，基底上设有贯通其上端面和下端面的空气流通腔体；基底的上端面上设有镂空结构层，镂空结构层包括设于其内的若干微米孔洞；镂空结构层上于微米孔洞的上部设有横向纳米纤维体；镂空结构层上设有纵向纳米纤维体，且纵向纳米纤维体覆盖住横向纳米纤维体；聚合物层包括聚合物材料体，聚合物材料体上设有贯通其上端面和下端面的贯通孔洞；聚合物材料体的上端面和下端面上均设有粘附层，聚合物材料体通过粘附层分别与相邻微小颗粒过滤结构层的上端面和下端面进行键合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102788777A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110131032.1
申请日：2011-05-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种微流控表面增强拉曼散射检测器件及其制备方法与应用。该器件由活性基底和含有微流通道的结构层组成，在活性基底和结构层之间形成微流通道腔，在对应于微流通道腔的活性基底上设有若干个纳米凹孔结构；在对应于微流通道腔的结构层上设有至少一对均与微流通道腔相通的入液口和出液口；位于所述微流通道腔内的活性基底表面和所述纳米凹孔表面均覆盖一层金属层。该器件成品率高、成本低廉、检测一致性好、无噪声干扰、可实时监测的双层聚二甲基硅氧烷结构微流控表面增强拉曼散射检测器件。该微流控检测器件可用于气态、胶体尤其是液态环境中待分析物的检测。
-
公开(公告)号：CN101792112B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
-
公开(公告)号：CN101792112A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
-
公开(公告)号：CN101554991B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
-
公开(公告)号：CN101554991A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.017 seconds)
