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公开(公告)号：CN1328348A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
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公开(公告)号：CN101286536A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810105938.4
申请日：2008-05-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100594622C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810105938.4
申请日：2008-05-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。
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公开(公告)号：CN1159772C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01123428.8
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。
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公开(公告)号：CN1442111A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03119646.2
申请日：2003-03-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种指端脉搏波检测系统。探头内部用两种发光二极管作为光源，使用光电二极管做探测器。测量时将手指放在光源和探测器中间。检测主机电路包括：系统放大电路和数据采集电路两部分。通过电脑控制信号采集，并使用专用软件对采集数据进行分析，利用频谱分析的手段对脉搏波信号进行处理。该检测系统采用光电检测频谱分析方法，可以达到很高的分辨率。
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公开(公告)号：CN2363282Y
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN98206564.7
申请日：1998-07-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型是硅/硅键合质量测试仪。硅/硅直接键合技术广泛地应用于SOI(在绝缘层上的硅)材料的制造、不同材料之间的连接及体硅微机械传感器与执行器的制造。硅片键合界面空洞的检测是关键技术之一。本实用新型采用普通CCD摄像仪,普通光源,配以可变焦镜头,观测硅/硅直接键合样品,图像清晰,简单实用,成本较低。
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