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公开(公告)号：CN111564556A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010439886.5
申请日：2020-05-22
Applicant: 北京大学
Inventor： 黎明 , 李小康 , 张宝通 , 杨远程 , 黄如
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种金字塔形阻变存储器及其制备方法，属于氧空位型阻变存储器领域。本发明通过采用将金字塔形尖端底电极的电场增强作用，加速氧空位在阻变介质中的迁移，控制导电细丝生长的位置和形状，与现有的平面型阻变存储器相比，该结构的阻变存储器件具有更低的功耗和更好的可靠性。另外通过将金字塔结构制备到CMOS的源漏通孔中可以实现与CMOS电路的良好集成。
