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公开(公告)号：CN117866623A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311709939.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带绿光、红光Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶的制备方法，属于量子点合成技术领域，采用一锅法制备，将Ag源、In源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑In‑Ga‑Zn‑S纳米晶。本发明实现了半峰宽小于40nm的光致发光光谱；通过调控In、Ga的比例，实现了窄谱带绿光至红光范围量子点的合成，发光峰位在480nm‑680nm，拓宽了窄谱带发光范围，同时也实现了窄带发射的特性；引入少量的锌前驱体，抑制了表面缺陷和内部缺陷发光，实现量子荧光产率大于40％、窄带发射的特性；简化了步骤，合成简单便捷；随反应时间增加不会产生发光性能的突变，更易于对不同批次产物的性能进行控制。
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公开(公告)号：CN116285963B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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公开(公告)号：CN116285963A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211516263.9
申请日：2022-11-30
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提供一种窄谱带发光量子点、制备方法及电致发光器件、制备方法，属于量子点合成技术领域，将Ag源、Ga源、Zn源一锅法预热，后注入S前驱体溶液升温得到Ag‑Ga‑Zn‑S纳米晶；清洗涂覆有氧化铟锡的玻璃衬底；依次旋涂PEDOT：PSS溶液、空穴传输层溶液、量子点溶液、电子传输层溶液；蒸镀铝电极，用光学胶黏剂进行封装，器件构筑完毕。本发明合成了具有窄谱带蓝光特性的量子点，具有优异的结晶性、分散性及发光特性；构筑量子点发光二极管实现半峰全宽(FWHM)小于50nm的窄谱电致发光，获得了高色纯度的无镉QLED器件；合成方式简便，材料廉价易得，原材料均无毒无害，反应时间短，便于批量生产。
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