一种基于双极性β型电路结构的超高增益升压变换器拓扑与装置

    公开(公告)号:CN118842322A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411006397.5

    申请日:2024-07-25

    Abstract: 本申请提供了一种基于双极性β型电路结构的超高增益升压变换器拓扑与装置,该升压变换器拓扑包括输入源、负载、双极性β型电路与超高增益电路。通过将双极性β型电路的输入端与输入源连接,使得输入源的输出电压能够被双极性β型电路转换为两电平方波电压输出;通过将超高增益电路的输入端与双极性β型电路的输出端连接,使得双极性β型电路输出的两电平方波电压能够被超高增益电路中的储能元件转换为三倍于双极性β型电路输出电压的正向电压,实现超高增益升压变换器的输入和输出之间电压等级的转换,获得较高的增益特性,并通过对双极性β型电路中开关管的占空比进行调节,实现对升压变换器的增益调节。

    一种隔离型直流变换器拓扑自生成方法

    公开(公告)号:CN117592225A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311338744.X

    申请日:2023-10-16

    Abstract: 本发明提出一种隔离型直流变换器拓扑自生成方法,包括,设定隔离型直流变换器拓扑图的器件类型和器件数量,根据基于顶点素数度的隔离型直流变换器非同构图构建方法,以及设定条件生成隔离型直流变换器对应的所有非同构图,生成第一表;利用预设的第一条件对第一表中的非同构图筛选,生成第二表;将第二表中非同构图无向图转化为有向图,生成第三表;将第三表中的有向图建立为变换器的工作环路矩阵,并生成第四表;利用预设的第二条件对第四表中的环路电气约束筛选,生成第五表;利用预设的第三条件对第五表中的拓扑图分类,生成第一第六子表和第二第六子表。本发明的方法可以实现对隔离型直流变换器拓扑自生成。

    高压电力电子设备在线噪声源阻抗测量方法

    公开(公告)号:CN116577557A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310343925.5

    申请日:2023-03-31

    Abstract: 本申请提出一种高压电力电子设备在线噪声源阻抗测量方法,包括:根据被测设备阻抗范围选择参数测量方式;基于测量环境构建测量夹具,并通过测量仪器使用选择的方式对其进行S参数测量;通过测量夹具隔离被测设备功率电路和测量仪器测量电路,并为被测设备提供适配接口以将其固定,使用测量仪器通过相同方式对被测设备进行测量;基于测量夹具S参数矩阵对被测设备进行去嵌处理,更新设备S参数矩阵;根据选择的方式和更新的S参数矩阵计算得到设备阻抗,基于设备阻抗建立电磁干扰传播阻抗模型进行电磁兼容设计。采用上述方案的本发明通过在线测量设备阻抗,建立电磁干扰传播路径阻抗模型,有利于设备的电磁兼容设计,节省电磁兼容测试时间和成本。

    一种抑制SiC MOSFET串扰的多电平有源驱动电路

    公开(公告)号:CN111162671B

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202010075625.X

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的多电平有源驱动电路及其控制方法,其中,该多电平有源驱动电路可以用于SiC等宽禁带半导体器件在上下桥臂电路中的高速驱动,与SiC MOSFET的栅源极连接,其包括由第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、驱动电阻、第一供电电压、第二供电电压组成的用于控制SiC MOSFET栅源电压的驱动电路和由第一二极管和第一电容组成的串扰抑制电路。该多电平有源驱动电路能够基于SiC MOSFET,通过优化驱动电压和驱动回路的阻抗有效的抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源电压串扰,使得正负向栅源电压尖峰均保持在安全阈值之内。

    基于顶点素数度的单开关直流变换器非同构图构建方法

    公开(公告)号:CN112163302A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010838848.7

    申请日:2020-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于顶点素数度的单开关直流变换器非同构图构建方法,包括:给定变换器拓扑图的顶点个数、边类型、每种边类型的数量;将顶点连接的边数量、边类型对变换器结构的综合影响转化为顶点素数度;运用素数度不相同的顶点筛选条件、素数度相同的顶点但其邻接顶点素数度不相同筛选条件对顶点筛选,从筛选出的顶点中构建新的边;运用新构成的边未存在图中筛选条件对边筛选,将筛选出的边添加进图;运用新加入的边非最后一条边筛选条件循环上述过程,得到变换器所有拓扑的非同构图。该方法可以用于构建给定边类型及每种边类型数量的变换器所有拓扑的非同构图,并可应用于可编程直流变换器拓扑初始化搜索中,提高算法运行效率。

    一种抑制串扰的三电平有源驱动电路

    公开(公告)号:CN111404411A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010119350.5

    申请日:2020-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的三电平有源驱动电路,其中,该三电平有源驱动电路与SiC MOSFET的栅源极连接,可以用于SiC等宽禁带半导体器件在上下桥臂电路中的高速驱动,包括:驱动推挽电路、驱动电阻、脉冲产生电路和零压钳位电路。其中,推挽电路用于产生控制SiC MOSFET的栅源级电压,脉冲产生电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容和第一电压比较器,零压钳位电路包括第一P沟道MOSFET,第一二极管。该三电平有源驱动电路能够通过优化驱动电压有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源级电压产生的串扰问题,使得正负向栅源电压尖峰均保持在安全阈值之内。

    并网三相逆变器共模EMI滤波器优化设计方法

    公开(公告)号:CN110719021A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201911054800.0

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种并网三相逆变器共模EMI滤波器优化设计方法,包括:在并网三相逆变器中使用混沌SPWM调制,并且通过线性稳定阻抗网络得到变换器所需衰减的共模EMI频谱;分析并网三相逆变器的共模EMI通路以得到戴维南或者诺顿等效电路,根据等效电路求得共模EMI滤波器的插入损耗曲线;根据插入损耗曲线与共模EMI频谱的切点的参数及共模EMI滤波器转的折频率表达式得到所需电感值和所需电容值。该方法相较于使用定频SPWM调制的并网三相逆变器,可以提高所需共模EMI滤波器的转折频率,从而降低所需电感和电容值,降低共模EMI滤波器的体积、重量和成本,提高并网三相逆变器的功率密度。

    基于耦合电感的两相交错电容箝位型超高增益直流变换器

    公开(公告)号:CN109787475A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910105254.2

    申请日:2019-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合电感的两相交错电容箝位型超高增益直流变换器,包括:两相交错Boost结构、第一电容箝位电路和第二电容箝位电路;其中,两相交错Boost结构包括输入源、第一耦合电感原边绕组、第二耦合电感原边绕组、第一开关管和第二开关管;第一电容箝位电路包括第一电容、第三电容、第一二极管、第二二极管和第二耦合电感副边绕组;其中第二电容箝位电路包括第二电容、第四电容、第三二极管、第四二极管和第一耦合电感副边绕组。本发明实施例的超高增益直流变换器具有拓扑结构对称,开关控制简单,电压增益超高、开关管电压应力超低的优点,非常适合应用于使用低压大电流氮化镓器件的低压输入、高压输出应用场合。

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