公开(公告)号：CN104882430A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201410427404.9

申请日：2014-08-27

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵鹏辉 ,  张建平 ,  李罗生

IPC: H01L23/522

Abstract: 本发明公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。

公开(公告)号：CN204441278U

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201420491005.4

申请日：2014-08-27

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵鹏辉 ,  张建平 ,  李罗生

IPC: H01L23/522

Abstract: 本实用新型公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。