公开(公告)号：CN101834129B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201010172785.2

申请日：2010-05-14

Applicant: 兰州大学

Inventor： 贺德衍 ,  刘德全 ,  王琦 ,  杨丰 ,  乔丽 ,  秦艳丽

IPC: H01L21/28 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝，再用基片材料收集电纺丝，使电纺丝附着于基片材料表面上，然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜，再将基片材料进行灼烧，去除其上的聚合物电纺丝，得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极，而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题，并有制备工艺简单、成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN101834129A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010172785.2

申请日：2010-05-14

Applicant: 兰州大学

Inventor： 贺德衍 ,  刘德全 ,  王琦 ,  杨丰 ,  乔丽 ,  秦艳丽

IPC: H01L21/28 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明公开一种在微电子工程中制备电极的方法。本发明的纳米间距平面电极制备方法是首先采用静电纺丝装置制备出聚合物分子的电纺丝，再用基片材料收集电纺丝，使电纺丝附着于基片材料表面上，然后在附着有电纺丝的基片表面上用物理或者化学方法沉积一层导电介质薄膜，再将基片材料进行灼烧，去除其上的聚合物电纺丝，得到间距与纺丝直径相近的平面电极。本发明的方法可以得到极细线宽的电极，而且不会产生现有技术中因光的衍射和化学腐蚀产生的曲面问题，并有制备工艺简单、成本低廉的优点。