公开(公告)号：CN111633850A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010120773.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤原贤二 ,  川上宪秀 ,  栗本宏高

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。

公开(公告)号：CN111633850B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010120773.9

申请日：2020-02-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 藤原贤二 ,  川上宪秀 ,  栗本宏高

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为 方向或 方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为 方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为 方向的单晶铸块时的切断方向从 方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为‑30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1‑10)方向、(‑101)方向及(01‑1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0‑11)方向、(‑110)方向及(10‑1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为‑30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为 方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。