公开(公告)号：CN100576583C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200510007525.9

申请日：2005-02-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中村秋夫 ,  茂木勇 ,  吉田裕二

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01-1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。

公开(公告)号：CN1658406A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510007525.9

申请日：2005-02-07

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 中村秋夫 ,  茂木勇 ,  吉田裕二

IPC: H01L33/00

Abstract: 提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01－1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。