公开(公告)号：CN109690733A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055519.1

申请日：2017-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  滨节哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN109690733B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201780055519.1

申请日：2017-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  滨节哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN111180317B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN201911075806.6

申请日：2019-11-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  滨节哉

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/762

Abstract: 提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法，其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于，具有：准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工序；当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时，将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上，并以该投入温度以上的温度来进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序；经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与接合晶圆贴合的工序；使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。

公开(公告)号：CN111180317A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911075806.6

申请日：2019-11-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  滨节哉

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/762

Abstract: 提供一种利用基础氧化法进行的贴合SOI晶圆的制造方法，其能够抑制滑移位错的发生并抑制基础晶圆的氧析出物的形成。该贴合SOI晶圆的制造方法的特征在于，具有：准备初始间隙氧浓度在15ppma(’79ASTM)以上的单晶硅晶圆作为基础晶圆的工序；当通过对所述基础晶圆在氧化性气氛下实施热处理而在所述基础晶圆的表面形成硅氧化膜时，将所述基础晶圆向进行所述热处理的热处理炉的投入温度设为800℃以上，并以该投入温度以上的温度来进行所述基础晶圆的所述热处理而形成硅氧化膜的工序；经由所述硅氧化膜使所述基础晶圆与接合晶圆贴合的工序；使贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层的工序。