公开(公告)号：CN109314040B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201780032865.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林徳弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的步骤；在接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤；通过彼此粘合绝缘膜及热氧化膜而彼此贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤；薄膜化经贴合的接合晶圆而将SOI层形成薄膜的步骤，其中用电阻率100Ω·cm或以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm或以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm或以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。从而，提供了贴合式SOI晶圆的制造方法，其中通过抑制来自贴合交界面的硼污染的影响，抑制高电阻基板的电阻率降低。

公开(公告)号：CN109314040A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780032865.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林徳弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 公开了一种通过彼此贴合其间具有绝缘膜的接合晶圆和基底晶圆而制造贴合式SOI晶圆的方法，所述接合晶圆和基底晶圆每个由单晶硅制成。所述方法包括：在基底晶圆贴合面侧堆积多晶硅层的步骤；研磨多晶硅层表面而得到研磨面的步骤；在研磨面形成热氧化膜的步骤；在接合晶圆贴合面形成绝缘膜的步骤；通过彼此粘合绝缘膜及热氧化膜而彼此贴合接合晶圆及基底晶圆的贴合步骤；薄膜化经贴合的接合晶圆而将SOI层形成薄膜的步骤，其中用电阻率100Ω·cm或以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，形成于研磨面的热氧化膜厚度为15nm或以上，形成于研磨面的热氧化膜表面的RMS为0.6nm或以下，贴合步骤后进行的热处理的最高处理温度为1150℃以下。从而，提供了贴合式SOI晶圆的制造方法，其中通过抑制来自贴合交界面的硼污染的影响，抑制高电阻基板的电阻率降低。