-
公开(公告)号：CN100481541C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580013382.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/30
Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100576583C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200510007525.9
申请日：2005-02-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01-1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。
-
公开(公告)号：CN100433388C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580013481.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L2224/48091 , Y10S438/964 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90%以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。
-
公开(公告)号：CN1947269A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013382.0
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/30
Abstract: 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。
-
公开(公告)号：CN1947270A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013481.9
申请日：2005-04-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/308
CPC classification number: H01L33/30 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/22 , H01L2224/48091 , Y10S438/964 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。
-
公开(公告)号：CN1658406A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510007525.9
申请日：2005-02-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供可获得更高亮度的GaP外延片及使用其外延片的GaP发光元件。本发明的GaP外延片3是在n型GaP单结晶基板10的{111}B面形成n型GaP缓冲层11的GaP外延片，将{01－1}裂面选择蚀刻后于n型GaP缓冲层11处观测到的梳齿状结晶缺陷的条数，为每100μm的成长界面为30条以下，其中该结晶缺陷为处于n型GaP缓冲层11成长界面且与平行面交叉并且延伸的梳齿状结晶缺陷。使用该GaP外延片3制作出的GaP发光元件1，具备高亮度。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.028 seconds)
