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公开(公告)号：CN113710615B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202080030274.9
申请日：2020-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B19/04 , C01B25/08 , C01G3/00 , C01G5/00 , C01G9/08 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/50
Abstract: 本发明为一种量子点，其为作为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点，其中，所述量子点具有核壳结构，所述核壳结构包括包含第一金属元素的核颗粒与包含第二金属元素的壳层，在所述核颗粒与所述壳层的界面存在与所述第一金属元素及所述第二金属元素不同的第三金属元素，以摩尔比计，所述第三金属元素的量相对于所述核颗粒所含的所述第一金属元素的量为10％以下。由此，提供一种发射波长的控制性优异、且同时具有高发光特性及发光效率的量子点。
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公开(公告)号：CN115362238A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026031.2
申请日：2021-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子点的制造方法，所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体，所述制造方法中，使用含有彼此不同的元素的第一前驱体溶液及第二前驱体溶液，将第二前驱体溶液制成气溶胶并向已加热的第一前驱体溶液进行喷雾、或者将第一前驱体溶液及第二前驱体溶液分别制成气溶胶并向已加热的溶剂进行喷雾，由此使第一前驱体溶液与第二前驱体溶液进行反应，合成含有彼此不同的元素的核颗粒。由此，提供一种能够在大规模的合成中抑制量子点的粒径的不均匀性及伴随于此的发射波长的分布的增大的量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN113874466A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038558.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子点，所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体，所述量子点的表面经含有氟的配体修饰。由此，提供一种具有高稳定性、在添加至含氟树脂中时也不易引起凝集的为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点。
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公开(公告)号：CN111433320A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078304.6
申请日：2018-11-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野岛义弘
Abstract: 本发明提供一种量子点，其含有粒径为20nm以下的半导体晶体颗粒，所述量子点的特征在于，具有2个以上与该半导体晶体颗粒进行相互作用的官能团的配体以二齿以上的方式配位于所述半导体晶体颗粒表面。由此，提供一种使用具有2个以上与半导体晶体颗粒进行相互作用的官能团且以二齿以上的方式配位于半导体颗粒表面的配体，对半导体晶体颗粒表面进行修饰，从而提高了稳定性的量子点。
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公开(公告)号：CN106687552A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580047692.8
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野岛义弘
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨组合物，其包含金属氧化物颗粒作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，作为所述金属氧化物颗粒，包含：在粉末X射线衍射图案中的衍射强度达到最大的峰部分的半值宽度不足1°的金属氧化物颗粒；进一步地，作为选择比调节剂，包含：2种以上的具有不同重均分子量的水溶性聚合物，该水溶性聚合物的不同重均分子量的比值为10以上。由此，提供一种研磨组合物以及使用该研磨组合物的半导体基板的研磨方法，所述研磨组合物维持高研磨速率，并能够抑制产生划痕、碟型凹陷、磨损等由研磨所引起的缺陷，并且能够任意地调节金属层与绝缘体层的研磨速度的比例即选择比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119998730A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071044.0
申请日：2023-09-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光敏树脂组合物，其特征在于，其包含(A)具有(甲基)丙烯酰基的树脂、(B)光自由基产生剂及(C)量子点，所述量子点具有含有硅氧烷的表面包覆层。由此，提供能够容易形成具有高光刻分辨率、良好的发光特性的覆膜的光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物而得到的光敏树脂覆膜及使用它们的图案形成方法、以及使用所述光敏树脂组合物而得到的发光元件。
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公开(公告)号：CN118541625A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280073603.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种波长转换体，其中，作为半导体纳米颗粒，所述波长转换体包含将波长450nm的光转换为波长λ1nm的光的第一半导体纳米颗粒、与将波长450nm的光转换为波长λ2nm的光的第二半导体纳米颗粒，所述波长λ1及所述波长λ2满足λ1＞λ2＞450，对包含所述第一半导体纳米颗粒与所述第二半导体纳米颗粒的所述波长转换体照射波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1b、与对仅包含所述第一半导体纳米颗粒作为半导体纳米颗粒的波长转换体照射所述波长为450nm且激发光量子数为N0的光时的波长λ1下的发光强度I1a之间的关系满足I1a＜I1b。由此，提供一种对蓝色光的吸收率及波长转换后的光提取效率得到提高的波长转换体。
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公开(公告)号：CN114746364B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202080082454.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
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公开(公告)号：CN118251618A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280075790.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种量子点的图案化方法，其特征在于，其包含：在基板上涂布含有量子点与固化性树脂的混合物从而得到树脂层的工序；通过喷墨方式，在所述树脂层上将固化剂喷成图案状的工序；使所述树脂层中喷有所述固化剂的部分固化的固化处理工序；及使用溶剂去除所述树脂层中未固化的部分的工序。由此，能够提供一种量子点的图案化方法，其能够稳定地形成量子点的图案而不会受到起因于喷墨方式的限制、且能够抑制量子点的劣化。
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公开(公告)号：CN113874466B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202080038558.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子点，所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体，所述量子点的表面经含有氟的配体修饰。由此，提供一种具有高稳定性、在添加至含氟树脂中时也不易引起凝集的为结晶性纳米颗粒荧光体的量子点。
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