公开(公告)号：CN1086057C

公开(公告)日：2002-06-05

申请号：CN95109980.9

申请日：1995-07-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田外充 ,  山野辺正人 ,  河出一佐哲 ,  大西敏一 ,  岩崎达哉

IPC: H01J9/38 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J1/316

Abstract: 具有一对发射装置电极和一导电薄膜的电子发射装置，所说导电薄膜包括布置在上述电极之间的一电子发射区。该发射装置通过用于加大发射装置的发射电流的一激活过程而制造出来。所说激活过程包括步骤a)在初始条件下将一电压(Vact)施加到具有一间隙段的导电薄膜上，b)探测导电薄膜的导电性能和c)在需要时修改作为探测到的导电薄膜的导电性能的函数的初始条件。

公开(公告)号：CN1121256A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95109980.9

申请日：1995-07-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田外充 ,  山野辺正人 ,  河出一佐哲 ,  大西敏一 ,  岩崎达哉

IPC: H01J29/46

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J1/316

Abstract: 具有一对发射装置电极和一导电薄膜的电子发射装置，所说导电薄膜包括布置在上述电极之间的一电子发射区。该发射装置通过用于加大发射装置的发射电流的一激活过程而制造出来。所说激活过程包括步骤a)在初始条件下将一电压(Vact)施加到具有一间隙段的导电薄膜上，b)探测导电薄膜的导电性能和c)在需要时修改作为探测到的导电薄膜的导电性能的函数的初始条件。