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公开(公告)号：CN1040265C
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN91103576.1
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/10829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，其包括以下步骤，在栅极绝缘膜中形成一个矩形的宽W长L的开口，其中W≤L，通过使用包括烷基铝氢化物和氢的蒸气的选择性化学淀积在所述开口中淀积铝或以铝为主要成分的金属，以便制出具有长方体形状且高为H，H＞W的下层电极；通过氧化下层电极的表面，在所述电容器下层电极的露出的表面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成一个电容器上部电极。
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