厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115516578A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180031480.6

    申请日:2021-04-30

    Abstract: 本发明的课题是,提供在使用硼硅酸铅玻璃的同时,外观上无裂纹异常,且具有足够的抗浪涌性能的特别是低电阻用途优异的电阻体用厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有银粉末或钯粉末或者这两者的混合粉末、含氧化钌玻璃粉末、和有机载体,含氧化钌玻璃粉末含有10质量%以上且60质量%以下的氧化钌,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有3质量%以上且60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

    厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115443513A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202180030831.1

    申请日:2021-04-30

    Inventor: 安藤真规

    Abstract: 本发明的课题是,针对更加小型化发展的电子部件,提供电阻变化率较小的具有优异的抗浪涌性能的电阻体用厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有玻璃粉末和有机载体,该玻璃粉末含有由氧化钌和钌酸铅构成的导电物,含导电物玻璃粉末含有10质量%以上且70质量%以下的导电物,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有3质量%以上且60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

    厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115516579A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180032116.1

    申请日:2021-04-30

    Abstract: 本发明的课题是,提供在使用硼硅酸铅玻璃作为绝缘材料的同时,外观上无裂纹异常,且具有足够的抗浪涌性能的厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有含氧化钌玻璃粉末和有机载体,前述含氧化钌玻璃粉末含有10质量%以上且60质量%以下的氧化钌,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

    厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件

    公开(公告)号:CN115461825A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202180032157.0

    申请日:2021-04-30

    Inventor: 安藤真规

    Abstract: 本发明的课题是,针对更加小型化发展的电子部件,提供电阻变化率较小的具有优异的抗浪涌性能的电阻体用厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。解决方法是,含有含钌酸铅玻璃粉末和有机载体,含钌酸铅玻璃粉末含有10质量%以上且70质量%以下的钌酸铅,并且,玻璃组成中,相对于玻璃成分100质量%,含有3质量%以上且60质量%以下的氧化硅、30质量%以上且90质量%以下的氧化铅、5质量%以上且50质量%以下的氧化硼,并且,相对于玻璃成分100质量%,氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量%以上。

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