公开(公告)号：CN1415118A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN00817993.X

申请日：2000-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波宏之 ,  木本恒畅

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H02M7/537

CPC classification number: H02M7/515 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  Y02B70/1483

Abstract: 一种采用FET结构变换器件的逆变器，其特征在于，所述变换器件S1－S6是由SiC(碳化硅)－JFET形成的，其中该逆变器可以实现开关频率高而损耗小。