公开(公告)号：CN1613275A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03801916.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加智义文 ,  柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H05B3/10 ,  H05B3/18 ,  H05B3/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 制造了有效的用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过电阻加热元件线路间距离的最优化，预防了由于加热操作过程中电阻加热元件线路间短路造成的损坏，同时维持了晶片表面温度的均匀性。用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)在其陶瓷基片(2)的表面或内部具有电阻加热元件(3a)，电阻加热元件(3a)截面上由电阻加热元件(3a)的底部和侧面形成的最小角θ为5°或更大。等离子体电极可安排在陶瓷基座(1)中陶瓷基片(2a)的表面或内部。优选陶瓷基片(2a)由选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅中的至少一种制成。

公开(公告)号：CN1613274A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03801911.6

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加智义文 ,  柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H05B3/10 ,  H05B3/16 ,  H05B3/18 ,  H05B3/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 提供了一种用于半导体制造设备的陶瓷基座，其中通过控制基座形状——特别是正常温度下外径沿着厚度——的波动，提高了在加热操作过程中晶片表面的温度均匀性。这种用于半导体制造设备的陶瓷基座(1)，在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部有电阻加热元件(3)。不加热时陶瓷基座沿厚度的最大外径和最小外径之差为沿晶片载面的平均直径的0.8％或更小。陶瓷基座(1)还可在其陶瓷基片(2a)、(2b)的表面或内部安排等离子体电极。陶瓷基片(2a)、(2b)优选由至少一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷制造。

公开(公告)号：CN1613139A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN03801909.4

申请日：2003-03-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加智义文 ,  柊平启 ,  仲田博彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H05B3/143

Abstract: 提供了半导体制造设备用的陶瓷基座，其中通过提高基座晶片载面在其高温区域的平面度，提高了加热操作过程中晶片表面的等温质量，在半导体制造过程中是在晶片载面的高温区域处理晶片的。用于半导体制造设备的陶瓷基座1在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部有电阻加热元件3，其晶片载面在不加热(常温)时为拱形，拱形凹度为每300mm为0.001～0.7mm。陶瓷基座1还进一步在其陶瓷基片2a和2b的表面或内部配置了等离子体电极。此外，优选陶瓷基片2a和2b至少是一种选自氮化铝、氮化硅、氮氧化铝、和碳化硅的陶瓷。