半导体基板加工用粘合带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110352472A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201880014576.X

    申请日:2018-02-21

    Inventor: 长尾佳典

    Abstract: 根据本发明,能够提供一种半导体基板加工用粘合带,其具备基材及被层叠在前述基材的一个表面的粘合层,并且其用于在沿厚度方向切断半导体密封连接体而得到复数个半导体密封体时,将前述半导体密封连接体经由前述粘合层临时固定于前述基材,前述半导体密封连接体具备基板、被配置在前述基板上的复数个半导体元件、及对前述复数个半导体元件进行密封的密封部,其特征在于,前述粘合层含有剥离剂,该剥离剂用于使前述半导体密封体从该半导体基板加工用粘合带剥离时降低前述粘合层与前述密封部的密合性,前述密封部由含有含环氧基的化合物的密封材料构成,前述含环氧基的化合物在其分子结构中具有双键,前述剥离剂为硅酮系油或氟系表面活性剂。

    半导体基板加工用粘合带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN110352472B

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201880014576.X

    申请日:2018-02-21

    Inventor: 长尾佳典

    Abstract: 根据本发明,能够提供一种半导体基板加工用粘合带,其具备基材及被层叠在前述基材的一个表面的粘合层,并且其用于在沿厚度方向切断半导体密封连接体而得到复数个半导体密封体时,将前述半导体密封连接体经由前述粘合层临时固定于前述基材,前述半导体密封连接体具备基板、被配置在前述基板上的复数个半导体元件、及对前述复数个半导体元件进行密封的密封部,其特征在于,前述粘合层含有剥离剂,该剥离剂用于使前述半导体密封体从该半导体基板加工用粘合带剥离时降低前述粘合层与前述密封部的密合性,前述密封部由含有含环氧基的化合物的密封材料构成,前述含环氧基的化合物在其分子结构中具有双键,前述剥离剂为硅酮系油或氟系表面活性剂。

    半导体基板加工用粘合带

    公开(公告)号:CN109328219B

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201780029405.X

    申请日:2017-05-02

    Inventor: 长尾佳典

    Abstract: 本发明的半导体基板加工用粘合带(100)的特征在于,具备:基材(4);及层叠于该基材(4)的一个面的粘合层(2),并且,基材(4)具有:切口层(41),位于所述一个面侧;及扩张层(42),层叠于该切口层(41)的另一个面,扩张层(42)的粘着力在80℃条件下为1kPa以上且200kPa以下。由此,能够提供一种在切割工序中能够可靠地防止翘曲的发生,同时能够抑制或防止扩张层对切割机工作台的熔合的半导体基板加工用粘合带。

    半导体基板加工用粘合带

    公开(公告)号:CN109328219A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201780029405.X

    申请日:2017-05-02

    Inventor: 长尾佳典

    Abstract: 本发明的半导体基板加工用粘合带(100)的特征在于,具备:基材(4);及层叠于该基材(4)的一个面的粘合层(2),并且,基材(4)具有:切口层(41),位于所述一个面侧;及扩张层(42),层叠于该切口层(41)的另一个面,扩张层(42)的粘着力在80℃条件下为1kPa以上且200kPa以下。由此,能够提供一种在切割工序中能够可靠地防止翘曲的发生,同时能够抑制或防止扩张层对切割机工作台的熔合的半导体基板加工用粘合带。

    切割膜
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107004587A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201580062296.2

    申请日:2015-11-16

    Inventor: 长尾佳典

    CPC classification number: C09J201/00 C09J7/20 C09J133/00

    Abstract: 本发明提供一种切割膜用基材膜,其包含基材层和在所述基材层的一主面上配置的表面层,其特征在于,所述基材层含有低密度聚乙烯,所述表面层含有离聚物树脂,所述离聚物树脂的MFR为3g/10min以下,其测定方法为根据JIS K 7210来进行,测定条件为温度190℃、荷重21.18N。并且,提供一种在所述切割膜用基材膜的表面层侧的主面上设置有粘接层的切割膜及使用该切割膜的刀切割方法。

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