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公开(公告)号：CN1200925C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN01819030.8
申请日：2001-11-26
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C07C63/15 , C07C63/331 , C07C63/64 , C07C63/66 , C07C63/72 , C07C63/74 , C07C65/28 , C07C51/09 , C07C51/60
Abstract: 本发明公开了用作表现出优异耐热性的大分子化合物，特别是缩聚的大分子化合物原料的新的芳香羧酸化合物和其酰卤衍生物，以及生产这些化合物的方法。芳香羧酸化合物和其酰卤衍生物分别具有通式(1)和(2)所示结构，并且可以有效地从间苯二甲酸二烷基酯衍生物和乙炔衍生物根据所公开的包括特殊步骤的方法制备。在上述通式中，A表示-C≡CR1或右3式(其中R1表示氢原子，烷基或芳基，R2表示烷基或芳基)且X表示卤素原子。
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公开(公告)号：CN1474800A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN01819030.8
申请日：2001-11-26
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C07C63/15 , C07C63/331 , C07C63/64 , C07C63/66 , C07C63/72 , C07C63/74 , C07C65/28 , C07C51/09 , C07C51/60
Abstract: 本发明公开了用作表现出优异耐热性的大分子化合物，特别是缩聚的大分子化合物原料的新的芳香羧酸化合物和其酰卤衍生物，以及生产这些化合物的方法。芳香羧酸化合物和其酰卤衍生物分别具有通式(1)和(2)所示结构，并且可以有效地从间苯二甲酸二烷基酯衍生物和乙炔衍生物根据所公开的包括特殊步骤的方法制备。在上述通式中，A表示－C≡C－R1或式(3)(其中R1表示氢原子，烷基或芳基，R2表示烷基或芳基)且X表示卤素原子。
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公开(公告)号：CN1461323A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN01815916.8
申请日：2001-09-20
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G81/00 , H01L21/312 , H01L21/762 , H05K3/28 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G69/48 , C08G81/00 , C08J5/18 , C08J2377/00 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H05K3/4676
Abstract: 一种绝缘膜用材料，其特征在于它包括作为成膜组分的一种共聚物，通过使具有特定结构的聚酰胺与反应性低聚物反应而制备该共聚物；一种绝缘膜用罩光清漆，其包括该材料和有机溶剂；一种绝缘膜，其特征在于它包括一层以聚苯并噁唑作为主结构的树脂并且含有微孔，通过加热该材料或该罩光清漆以使经受缩合反应和交联反应而制备出该聚苯并噁唑；以及一种半导体装置，该装置包括包含该绝缘膜的多层线路用层间绝缘膜和/或表面保护层。该绝缘膜用材料的电学性能、热性能、机械性能等性能优异，其还可以用于制备具有降低的介电常数的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1231525C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN01815916.8
申请日：2001-09-20
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C08G81/00 , H01L21/312 , H01L21/762 , H05K3/28 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G69/48 , C08G81/00 , C08J5/18 , C08J2377/00 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H05K3/4676
Abstract: 一种绝缘膜用材料，其特征在于它包括作为成膜组分的一种共聚物，通过使具有特定结构的聚酰胺与反应性低聚物反应而制备该共聚物；一种绝缘膜用罩光清漆，其包括该材料和有机溶剂；一种绝缘膜，其特征在于它包括一层以聚苯并噁唑作为主结构的树脂并且含有微孔，通过加热该材料或该罩光清漆以使经受缩合反应和交联反应而制备出该聚苯并噁唑；以及一种半导体装置，该装置包括包含该绝缘膜的多层线路用层间绝缘膜和/或表面保护层。该绝缘膜用材料的电学性能、热性能、机械性能等性能优异，其还可以用于制备具有降低的介电常数的绝缘膜。
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