公开(公告)号：CN111133304A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062961.1

申请日：2018-09-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： N·达尔特奈尔 ,  S·戈达德 ,  C·纽桑姆 ,  D·托布乔克 ,  N·雅可比-格罗斯

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/00 ,  G01N33/02

Abstract: 一种气体传感器系统，其由对目标气体和第二气体均敏感的第一气体传感器(200)以及仅对目标气体敏感的第二传感器(300)制成。对两个气体传感器的响应进行处理以检测目标气体的存在或浓度。第一传感器包括半导体材料和电极，所述半导体材料对目标气体和第二气体两者的存在都敏感，所述电极对目标气体的存在敏感。第二传感器包括对目标气体和第二气体两者的存在都敏感的半导体材料，而且还包括处在所述电极中的至少一个的表面上的阻挡层，该阻挡层防止第二气体与电极相互作用。

公开(公告)号：CN113631921B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202080020965.0

申请日：2020-03-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： D·托布乔克 ,  N·达尔特奈尔 ,  P·凯彻林 ,  R·阿切尔

IPC: G01N33/00

Abstract: 一种传感器系统，其去除来自干扰物的响应和/或校正传感器的基线漂移以确定气体环境中目标材料的存在、浓度或浓度改变。流入系统的流体可以由阀布置引导至第一流体流动路径或第二流体流动路径。目标材料可以被第一流体流动路径中的过滤材料吸收。沿着第二气体流动路径流动的流体直接流向传感器。传感器对来自第一和第二流体流动路径的流体的响应可以被用于确定目标材料的存在、浓度或浓度改变。

公开(公告)号：CN113631921A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080020965.0

申请日：2020-03-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： D·托布乔克 ,  N·达尔特奈尔 ,  P·凯彻林 ,  R·阿切尔

IPC: G01N33/00

Abstract: 一种传感器系统，其去除来自干扰物的响应和/或校正传感器的基线漂移以确定气体环境中目标材料的存在、浓度或浓度改变。流入系统的流体可以由阀布置引导至第一流体流动路径或第二流体流动路径。目标材料可以被第一流体流动路径中的过滤材料吸收。沿着第二气体流动路径流动的流体直接流向传感器。传感器对来自第一和第二流体流动路径的流体的响应可以被用于确定目标材料的存在、浓度或浓度改变。

公开(公告)号：CN112513625A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980048718.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： D·托布乔克 ,  N·达尔特奈尔 ,  C·纽索姆

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/414 ,  G01N33/00

Abstract: 一种用于检测或测量目标气体的浓度的顶栅薄膜晶体管气体传感器。所述气体传感器被配置为使得目标气体可以通过顶栅并且与气体传感器的半导电层相互作用。顶栅可以不覆盖设置在顶栅下面的半导电层的沟道，以使得目标气体可以与沟道相通，而不被顶栅阻碍。顶栅可以用通道来图案化，目标气体可以通过这些通道通过顶栅到达半导电层中的沟道。顶栅可以可渗透目标气体，从而使得可以将目标气体传递到沟道。其上形成半导电层的基板可以可渗透目标气体，从而使得目标气体可以与沟道相通。