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公开(公告)号：CN111263984B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201880068532.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够减小比暗电流的光电转换元件。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含带隙为0.5eV～1.58eV的p型半导体材料、以及n型半导体材料，该n型半导体材料为C60富勒烯衍生物，在对利用透射型电子显微镜观察到的活性层的图像进行二值化而得到的图像中，n型半导体材料的相与p型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为120μm～170μm。
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公开(公告)号：CN112514098A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050045.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种以简易的构成在规定波长区域具有高灵敏度的光检测元件。光检测元件具备阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度最小为800nm，有源层中包含的p型半导体材料与n型半导体材料的重量比(p/n比)最大为99/1，在阴极侧与有源层相接的面的功函数低于n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值。
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公开(公告)号：CN112514099B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980050069.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种暗电流低的光检测元件。一种光检测元件，其包含：第1电极和第2电极；设置于上述第1电极和上述第2电极之间的有源层；以及设置于上述第2电极和上述有源层之间的空穴传输层，上述有源层包含有机化合物，上述有源层的厚度为600nm以上，上述空穴传输层包含金属氧化物的纳米颗粒。另外，上述金属氧化物包含选自由钼原子、钨原子以及镍原子组成的组中的1种以上。
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公开(公告)号：CN112514100B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980050374.5
申请日：2019-07-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H10K30/60 , H10K85/20 , H10K39/32 , H10K101/30
Abstract: 一种暗电流降低、且外量子效率提高的光检测元件。光检测元件包含：阳极；阴极；和设置于该阳极与该阴极之间且包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度为800nm以上，与有源层的阴极侧表面相接的面的功函数减去n型半导体材料的LUMO的绝对值而得到的值为0.0～0.5eV。此外，上述n型半导体材料具有2.0eV～10.0eV的LUMO的绝对值。
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公开(公告)号：CN111263984A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201880068532.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够减小比暗电流的光电转换元件。在包含阳极(12)、阴极(16)、以及设置于该阳极与该阴极之间的活性层(14)的光电转换元件(10)中，活性层包含带隙为0.5eV～1.58eV的p型半导体材料、以及n型半导体材料，该n型半导体材料为C60富勒烯衍生物，在对利用透射型电子显微镜观察到的活性层的图像进行二值化而得到的图像中，n型半导体材料的相与p型半导体材料的相的接合长度在每1μm2进行了二值化的图像面积中为120μm～170μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114514621A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080067923.2
申请日：2020-09-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/46 , C07D519/00 , H01L27/30
Abstract: 本发明提高耐热性。一种光电转换元件，其为包含阳极(12)、阴极(16)、和设置于该阳极与该阴极之间的有源层(14)的光电转换元件(10)，其中，有源层包含n型半导体材料和p型半导体材料，n型半导体材料为下述式(I)所示的化合物，p型半导体材料为包含下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物。(式(I)中，R1和R2如说明书中所定义。)(式(II)中，Ar1、Ar2和Z如说明书中所定义。)
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公开(公告)号：CN112771685A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980064003.2
申请日：2019-09-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/46 , H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明降低暗电流比。光电转换元件(10)包含：阳极(16)；阴极(12)；设置于该阳极和阴极间的有源层(14)；以及设置于有源层和阴极间的至少一层电子传输层(13)，电子传输层包含绝缘性材料和半导体材料，电子传输层的功函数与阴极的功函数之差为0.88eV以上。此外，该光电转换元件中，上述有源层包含p型半导体材料和n型半导体材料，上述电子传输层的功函数Wf1和上述n型半导体材料的LUMO的能级(LUMO)满足下述式(2)：|LUMO|－Wf1≥0.06eV(2)。
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公开(公告)号：CN112514099A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050069.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/42 , A61B5/1172 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 本发明提供一种暗电流低的光检测元件。一种光检测元件，其包含：第1电极和第2电极；设置于上述第1电极和上述第2电极之间的有源层；以及设置于上述第2电极和上述有源层之间的空穴传输层，上述有源层包含有机化合物，上述有源层的厚度为600nm以上，上述空穴传输层包含金属氧化物的纳米颗粒。另外，上述金属氧化物包含选自由钼原子、钨原子以及镍原子组成的组中的1种以上。
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公开(公告)号：CN111819700A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017341.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提高光电转换元件(10)的比探测率。一种光电转换元件，其包含：一对电极(12、16)；设置于一对电极间的活性层(14)；以及设置于活性层与所述一对电极中的至少一个电极之间的中间层(13、15)，中间层的与活性层接合的面的表面粗糙度的绝对值为大于0.22nm且小于1.90nm的值，活性层的厚度为350nm以上且800nm以下。
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公开(公告)号：CN112514098B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980050045.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H10K30/60 , H01L27/146 , H10K39/30
Abstract: 一种以简易的构成在规定波长区域具有高灵敏度的光检测元件。光检测元件具备阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的包含p型半导体材料和n型半导体材料的有源层，有源层的厚度最小为800nm，有源层中包含的p型半导体材料与n型半导体材料的重量比(p/n比)最大为99/1，在阴极侧与有源层相接的面的功函数低于n型半导体材料的LUMO的能级的绝对值。
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